[發明專利]一種可調增益均衡器

有效

• 申請號: 202011195637.2
• 申請日: 2020-10-31
• 公開（公告）號: CN112311345B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 陳林輝;劉志哲;聶利鵬;田帆;杜景超;曹玉雄
• 申請（專利權）人: 拓維電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03G9/00
• 分類號: H03G9/00;H03G5/16;H03G3/30;H03G5/00
• 代理公司: 北京華專卓海知識產權代理事務所(普通合伙) 11664
• 代理人: 王一

本公開的實施例提供了一種可調增益均衡器。所述可調增益均衡器包括第一射頻端口RF_IN、第二射頻端口RF_OUT、第一諧振單元、第二諧振單元、第三傳輸線TL3；第一諧振單元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2與第一傳輸線TL1；第二諧振單元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4與第二傳輸線TL2。所述可調增益均衡器2比特可調，具有四種均衡模式，可滿足不同使用需求；采用CMOS工藝，具有低損耗、低成本、易集成等優勢；采用晶體管寄生優化技術和深N阱工藝體懸浮技術，降低晶體管寄生電容和襯底噪聲的影響，降低插入損耗，提高線性度。

技術領域

本公開的實施例一般涉及射頻集成電路技術領域，并且更具體地，涉及一種可調增益均衡器。

背景技術

無線通信技術的發展對無線收發機射頻前端的研究提出了更高的要求。采用分立元件實現的無線收發機射頻前端價格昂貴、體積龐大，不能滿足日益增長的應用需求。CMOS硅基工藝具有功耗低、面積小、成本低、速度快、集成度高、抗干擾能力強等優勢，已成為大規模集成電路的主流工藝技術。

在無線收發機射頻前端系統中，多級放大電路的級聯易造成較大的增益波動，導致信號發生畸變，影響系統的通信質量和傳輸速度。均衡器可產生與原系統相反的增益曲線，保證信號在帶內各頻點處幅度一致。傳統均衡器的增益斜率固定，只能補償特定的增益曲線，應用局限性很大。

發明內容

根據本公開的實施例，提供了一種可調增益均衡器。該可調增益均衡器包括第一射頻端口RF_IN、第二射頻端口RF_OUT、第一諧振單元、第二諧振單元、第三傳輸線TL3；其中，第一諧振單元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2與第一傳輸線TL1，第一NMOS管M1與第二NMOS管M2并聯，第一NMOS管M1的漏極、第二NMOS管M2的漏極連接第一射頻端口RF_IN和第三傳輸線TL3的一端，第一NMOS管M1的源極、第二NMOS管M2的源極連接第一傳輸線TL1的一端；第一傳輸線TL1另一端懸空；第二諧振單元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4與第二傳輸線TL2，第三NMOS管M3與第四NMOS管M4并聯，第三NMOS管M2的漏極、第四NMOS管M4的漏極連接第二射頻端口RF_OUT和第三傳輸線TL3的一端，第三NMOS管M3的源極、第四NMOS管M4的源極連接第二傳輸線TL2的一端；第二傳輸線TL2另一端懸空。

如上所述的方面和任一可能的實現方式，進一步提供一種實現方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2，第三NMOS管M3、第四NMOS管M4為深N阱NMOS管。

如上所述的方面和任一可能的實現方式，進一步提供一種實現方式，第一傳輸線TL1、第二傳輸線TL2長度為四分之一波長。

如上所述的方面和任一可能的實現方式，進一步提供一種實現方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4采用晶體管寄生優化技術，在柵極分別通過串聯電阻連接對應地控制端；襯底分別通過串聯電阻接地。

如上所述的方面和任一可能的實現方式，進一步提供一種實現方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的柵極分別連接第一控制端Vc1、第二控制端Vc2、第三控制端Vc3、第四控制端Vc4。

如上所述的方面和任一可能的實現方式，進一步提供一種實現方式，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4斷開，所述可調增益均衡器工作在第一均衡模式；第一NMOS管M1、第三NMOS管M3斷開，第二NMOS管M2、第四NMOS管M4導通，所述可調增益均衡器工作在第二均衡模式；第一NMOS管M1、第三NMOS管M3導通，第二NMOS管M2、第四NMOS管M4斷開，所述可調增益均衡器工作在第三均衡模式；第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4導通，所述可調增益均衡器工作在第四均衡模式。