[發明專利]半導體工藝設備及其觀察窗清潔方法

有效

• 申請號: 202011194923.7
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112430846B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 趙海洋;郭雪嬌
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/36;B08B5/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備，包括工藝腔室、坩堝和溫度監測組件，所述坩堝設置在所述工藝腔室中，所述坩堝的頂部具有與所述坩堝的內腔連通的頂開口，所述工藝腔室的頂壁具有觀察窗，所述溫度監測組件用于透過所述觀察窗和所述頂開口監測所述坩堝內部的溫度，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括觀察窗吹掃組件，所述觀察窗吹掃組件與所述觀察窗對應設置，用于對所述觀察窗的待吹掃面進行吹掃，所述待吹掃面為所述觀察窗朝向所述坩堝的表面；

所述半導體工藝設備還包括吹掃控制電路和光強檢測組件，所述光強檢測組件用于透過所述觀察窗和所述頂開口獲得所述坩堝內部的實際光強檢測值；

所述吹掃控制電路用于在理論光強檢測值與所述光強檢測組件獲得的所述實際光強檢測值之間的差值超過預定偏差范圍時，控制所述觀察窗吹掃組件對所述待吹掃面進行吹掃；所述理論光強檢測值為當前對所述坩堝的加熱時間對應的所述坩堝內的理論溫度對應的光強檢測值；

所述光強檢測組件包括紅外線發射裝置和紅外線接收裝置；所述紅外線發射裝置用于通過所述觀察窗向所述頂開口發射紅外線信號；所述紅外線接收裝置包括光強傳感器和旋轉驅動機構，所述旋轉驅動機構用于驅動所述光強傳感器沿圓周方向運動，且所述光強傳感器的運動路徑與所述觀察窗的輪廓匹配。

2.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述觀察窗吹掃組件包括吹掃氣體管路和吹掃腔結構，所述吹掃腔結構包括設置在所述工藝腔室內的吹掃側壁和與所述吹掃側壁相連的吹掃底壁，所述吹掃側壁和所述吹掃底壁均環繞所述觀察窗設置，所述吹掃側壁上形成有吹掃孔，所述吹掃氣體管路用于通過所述吹掃孔對所述待吹掃面進行吹掃。

3.根據權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述吹掃側壁中形成有至少一個吹掃通道，所述吹掃通道包括相互連通的垂直段和彎折段，所述垂直段沿所述半導體工藝設備高度方向延伸，所述彎折段朝向所述觀察窗延伸，所述吹掃氣體管路與所述垂直段連通，所述彎折段的一端在所述吹掃側壁上形成所述吹掃孔。

4.根據權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述吹掃底壁上形成有觀察口，所述觀察口的形狀、大小均與所述觀察窗匹配。

5.根據權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述吹掃氣體管路上設置有質量流量控制器，所述質量流量控制器用于控制所述吹掃氣體管路中吹掃氣體的流量。

6.根據權利要求2所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述吹掃氣體管路上設置有質量流量控制器，所述吹掃控制電路還用于根據所述理論光強檢測值與所述實際光強檢測值之間的差值控制所述質量流量控制器的開度。

7.一種如權利要求1或6所述的半導體工藝設備的觀察窗清潔方法，其特征在于，所述方法包括：

接收所述光強檢測組件測得的實際光強檢測值；

在理論光強檢測值與所述實際光強檢測值之間的差值超過預定偏差范圍時，控制所述觀察窗吹掃組件對所述觀察窗的所述待吹掃面進行吹掃。

8.根據權利要求7所述的觀察窗清潔方法，其特征在于，所述半導體工藝設備還包括加熱組件，用于加熱所述坩堝；所述理論光強檢測值通過根據所述加熱組件的加熱時長確定對應的預存理論光強檢測值得到，所述預存理論光強檢測值通過如下方式得到：

加熱空載的所述坩堝，接收所述光強檢測組件測得的光強檢測值，并將各加熱時長對應的光強檢測值預存為各所述加熱時長對應的預存理論光強檢測值。

9.根據權利要求7所述的觀察窗清潔方法，其特征在于，所述方法還包括：

根據所述理論光強檢測值與所述實際光強檢測值之間的差值控制所述觀察窗吹掃組件的吹掃流量。