[發(fā)明專利]一種醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011194675.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112537109A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡鴻波;汪飛;汪云輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 永新股份(黃山)包裝有限公司 |
| 主分類號(hào): | B32B27/32 | 分類號(hào): | B32B27/32;B32B27/20;B32B27/18;B32B27/06;B32B37/15;B32B38/00 |
| 代理公司: | 合肥和瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 魏玉嬌 |
| 地址: | 245900 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 醫(yī)療 防護(hù) 服用 透氣 靜電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述薄膜組分上包括質(zhì)量比為(68-73):(8-13):(8-11):(7-10):1的碳酸鈣、茂金屬線性低密度聚乙烯、茂金屬中密度聚乙烯、抗靜電劑和含氟加工助劑,所述薄膜由依次層列的電暈層、芯層以及接觸層通過三層共擠和單向拉伸制得;所述電暈層由碳酸鈣、茂金屬線性低密度聚乙烯、茂金屬中密度聚乙烯、抗靜電劑、含氟加工助劑按照70:10:10:9:1的質(zhì)量比組成,拉伸前的厚度為16-40μm;所述芯層由碳酸鈣、茂金屬線性低密度聚乙烯、茂金屬中密度聚乙烯、抗靜電劑、含氟加工助劑按照73:8:8:10:1的質(zhì)量比組成,拉伸前的厚度為40-64μm;所述接觸層由碳酸鈣、茂金屬線性低密度聚乙烯、茂金屬中密度聚乙烯、抗靜電劑、含氟加工助劑按照70:10:10:9:1的質(zhì)量比組成,拉伸前的厚度為16-40μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述薄膜的厚度為20-38μm,單位面積克重為18-35gsm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述薄膜的透氣率為10000-12000g/(m2·24h),同一薄膜上不同位置處的透氣率偏差低于500g/(m2·24h)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述茂金屬線性低密度聚乙烯的熔融指數(shù)為0.5-1.5,茂金屬中密度聚乙烯的熔融指數(shù)為0.9-1.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述碳酸鈣的粒徑為2-8μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述茂金屬線性低密度聚乙烯為??松a(chǎn),牌號(hào)為埃能寶2010MA;所述茂金屬中密度聚乙烯為陶氏化學(xué)生產(chǎn),牌號(hào)為2038.68;所述抗靜電劑為安配色生產(chǎn),牌號(hào)為103035;所述含氟加工助劑為安配色生產(chǎn),牌號(hào)為100991-K。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述電暈層拉伸后的厚度為7μm,所述芯層拉伸后的厚度為16μm,所述接觸層拉伸后的厚度為7μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜,其特征在于,所述茂金屬線性低密度聚乙烯的熔融指數(shù)為1.0,所述茂金屬線中密度聚乙烯的熔融指數(shù)為1.2。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將所述電暈層、芯層以及接觸層的粒料按比例投入吹膜機(jī)料筒中熔融共擠出,其中吹膜機(jī)的熔融段溫度為60-80℃,擠出段溫度為180-190℃,模頭溫度為185-195℃,擠出量為560-680kg/h,制得三層共擠吹塑薄膜;
S2、將三層共擠吹塑薄膜通過吹膜工序,吹脹比為1:(2.2-3.5)、拉伸比為1:(3-5),冷卻、定型后切邊收卷,制得醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的醫(yī)療防護(hù)服用高透氣防靜電薄膜的制備方法,其特征在于,步驟S1中所述熔融段溫度為70℃,擠出段溫度為185℃,模頭溫度為190℃。
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