[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011194132.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112331689B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚綺君 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 湖北長(zhǎng)江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/15 | 分類號(hào)： | H01L27/15;G09F9/33;G09G3/32 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市武漢東湖新技*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底和設(shè)置于所述襯底一側(cè)的像素驅(qū)動(dòng)電路；
所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，所述驅(qū)動(dòng)單元包括相互電連接的導(dǎo)電襯墊和連接電極，所述連接電極位于所述導(dǎo)電襯墊遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；
所述導(dǎo)電襯墊包括至少兩個(gè)間隔設(shè)置的襯墊分部，相鄰兩個(gè)所述襯墊分部之間包括間隙；
所述驅(qū)動(dòng)單元還包括金屬種子層，所述金屬種子層包括鏤空部；所述導(dǎo)電襯墊位于所述金屬種子層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述導(dǎo)電襯墊在所述襯底所在平面上的垂直投影覆蓋至少部分所述金屬種子層在所述襯底所在平面的垂直投影，所述鏤空部在所述襯底所在平面的垂直投影覆蓋所述間隙在所述襯底所在平面的垂直投影；所述驅(qū)動(dòng)單元還包括遮擋結(jié)構(gòu)；所述金屬種子層包括相互連接的被遮擋部和暴露部，所述暴露部位于靠近所述鏤空部的一側(cè)；所述遮擋結(jié)構(gòu)在所述襯底所在平面上的垂直投影覆蓋所述被遮擋部在所述襯底所在平面上的垂直投影，所述遮擋結(jié)構(gòu)包括第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口暴露所述金屬種子層的暴露部，所述導(dǎo)電襯墊以及所述連接電極在所述襯底所在平面上的垂直投影位于所述第一開(kāi)口在所述襯底所在平面上的垂直投影內(nèi)；
或者，所述驅(qū)動(dòng)單元還包括輔助層，所述輔助層包括朝向所述連接電極的第二開(kāi)口；至少兩個(gè)所述襯墊分部包括第一襯墊分部和第二襯墊分部；所述第一襯墊分部和所述第二襯墊分部分別位于所述第二開(kāi)口兩側(cè)的所述輔助層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；所述連接電極包括第一電極分部和第二電極分部，所述第一電極分部位于所述第一襯墊分部遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第二電極分部位于所述第二襯墊分部遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述連接電極包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第一表面，所述遮擋結(jié)構(gòu)包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第二表面，所述第一表面位于所述第二表面遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一表面與所述襯底之間的距離為第一距離H1,所述第二表面與所述襯底之間的距離為第二距離H2，其中，1μm≤H1-H2≤10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，至少兩個(gè)所述襯墊分部還包括第三襯墊分部，所述第三襯墊分部位于所述第二開(kāi)口中；
所述連接電極還包括第三電極分部，所述第三電極分部位于所述第三襯墊分部遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；
所述第一電極分部包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第一子表面，所述第二電極分部包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第二子表面，所述第三電極分部包括遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的第三子表面，所述第一子表面和所述第二子表面均位于所述第三子表面遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第三電極分部與所述第二開(kāi)口的側(cè)壁之間包括空隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助層的厚度為H3，其中，1μm≤H3≤10μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助層為有機(jī)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述連接電極的厚度為H4，其中，1μm≤H4≤10μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電襯墊的厚度為H5，相鄰兩個(gè)所述襯墊分部之間的間隔距離為D1，其中，1μm≤H5≤10μm，1μm≤D1≤10μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電襯墊的材料包括銀或銅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電襯墊遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的表面設(shè)置有抗氧化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述連接電極和所述導(dǎo)電襯墊之間的界面能大于所述連接電極和與所述連接電極相鄰的其他膜層之間的界面能。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
