[發(fā)明專利]一種射頻前端集成芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011192472.3 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112491438A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王華林 | 申請(專利權(quán))人: | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B1/401 | 分類號: | H04B1/401 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海棟 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 射頻 前端 集成 芯片 | ||
本發(fā)明公開了一種射頻前端集成芯片,包括:天線、耦合式單刀雙擲開關(guān)、第一濾波器、第二濾波器和射頻收發(fā)器,其中,耦合式單刀雙擲開關(guān),包括第一端口、第二端口、第三端口、多耦合線圈電路和晶體管控制電路,多耦合線圈電路用于隔離第一端口、第二端口以及第三端口;晶體管控制電路用于利用其控制電平實(shí)現(xiàn)第一端口與第二端口的導(dǎo)通,或者第一端口與第三端口的導(dǎo)通,以及控制多耦合線圈電路的負(fù)載實(shí)現(xiàn)較低的插入損耗。本發(fā)明的射頻前端集成芯片采用的耦合式單刀雙擲開關(guān),具有較高的隔離度和較低的插入損耗,更利于射頻前端集成芯片向高集成、小型化、高性能的趨勢發(fā)展。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于射頻集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種射頻前端集成芯片。
背景技術(shù)
射頻前端是無線通信設(shè)備的一個(gè)核心部件,是將無線電磁波信號和二進(jìn)制數(shù)字信號進(jìn)行互相轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)部件,負(fù)責(zé)射頻信號的發(fā)送和接收。主要包括功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器、雙工器和低噪聲放大器等。在5G時(shí)代,需要更多的通信頻段,需要更多的射頻開關(guān)來進(jìn)行多個(gè)濾波器對應(yīng)的頻段的選通。
低插入損耗且高隔離度的射頻開關(guān)對于高集成、小型化的射頻前端集成芯片具有非常重要的作用。而現(xiàn)有的射頻開關(guān)大多采用PIN二極管開關(guān)或固態(tài)FET開關(guān),并且為了追求高隔離度,往往采用多個(gè)開關(guān)并聯(lián)的結(jié)構(gòu),但開關(guān)數(shù)目的增加會帶來過多的插入損耗。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,本發(fā)明提供了一種射頻前端集成芯片。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種射頻前端集成芯片,包括:天線、耦合式單刀雙擲開關(guān)、第一濾波器、第二濾波器和射頻收發(fā)器,其中,耦合式單刀雙擲開關(guān),包括第一端口、第二端口、第三端口,所述第一端口連接所述第一濾波器的一端,所述第二端口連接所述第二濾波器的一端;所述第一濾波器的另一端和所述第二濾波器的另一端分別連接所述射頻收發(fā)器;
所述耦合式單刀雙擲開關(guān)還包括多耦合線圈電路和晶體管控制電路,所述多耦合線圈電路包括三個(gè)線圈,分別連接所述第一端口、所述第二端口以及所述第三端口,用于隔離所述第一端口、所述第二端口以及所述第三端口;
所述晶體管控制電路包括第一控制電路、第二控制電路和第三控制電路,用于利用所述第一控制電路的控制電平來控制所述多耦合線圈電路的輸入負(fù)載,以及利用所述第二控制電路和第三控制電路的控制電平實(shí)現(xiàn)所述第一端口與所述第二端口,或者所述第一端口與所述第三端口之間的導(dǎo)通。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述多耦合線圈電路包括:第一線圈、第二線圈和第三線圈,所述第一線圈設(shè)置在所述第二線圈和所述第三線圈之間,所述第一線圈的一端與所述第一端口連接,所述第二線圈與所述第二端口連接,所述第三線圈與第三端口連接。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述第一控制電路與所述第一線圈的另一端連接,所述第二控制電路連接在所述第二線圈和所述第三控制電路的一端之間,所述第三控制電路的另一端與所述第三線圈連接。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,還包括:
控制端口、反相器;
所述控制端口與所述第三控制電路連接;用于為所述第三控制電路提供控制電平;
所述反相器連接在所述控制端口與所述第二控制電路之間,以及所述控制端口與所述第一控制電路之間,用于將所述控制端口的電平相位翻轉(zhuǎn)180度之后為所述第二控制電路、所述第一控制電路提供控制電平。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,所述第一控制電路包括第一晶體管、第一柵極偏置電阻以及所述第一晶體管的源極間的第一外接電阻,所述第一柵極偏置電阻連接在所述第一晶體管的柵極與所述控制端口之間,所述第一晶體管的漏極與所述第二端口并聯(lián),所述第一晶體管的源極接地,所述第一外接電阻的一端與所述第一晶體管的襯底連接,所述第一外接電阻的另一端接地。
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