[發明專利]一種多天線模式的射頻前端電路和集成電路模塊

在審

• 申請號: 202011192452.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112491437A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 陳晨
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H04B1/401
• 分類號: H04B1/401;H04B7/06;H04B7/08
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種多天線模式的射頻前端電路，其特征在于，包括：

順次連接的射頻信號輸入端(1)、第一隔離器(2)、第一溫度補償器(3)、推動級放大器(4)、第一濾波器(5)、單刀N擲開關(6)和N路并聯的發射通道，每路發射通道與所述單刀N擲開關(6)的一個輸出端口連接，每路發射通道包括依次連接的末級放大器(7)、雙節環形器(8)、第二濾波器(9)和天線(10)；每路發射通道通過所述雙節環形器(8)對應連接一接收通道，用于接收該路發射通道對應的天線(10)的輸入信號；

其中，所述單刀N擲開關(6)用于選擇一個輸出端口與輸入端口連接并輸出接收到的射頻信號，以實現導通一個發射通道，所述單刀N擲開關(6)未導通的發射通道中的天線(10)接收輸入信號并傳輸給對應的接收通道；所述單刀N擲開關(6)包括耦合電感電路以及晶體管控制電路，利用所述耦合電感電路實現端口隔離，利用所述晶體管控制電路調節導通的輸出端口的負載；N為大于3的自然數。

2.根據權利要求1所述的多天線模式的射頻前端電路，其特征在于，所述接收通道包括：

順次連接的限幅器(11)、低噪聲放大器(12)、第二溫度補償器(13)、第二隔離器(14)、接收信號輸出端(15)，其中，所述限幅器(11)的輸入端與所述雙節環形器(8)的一個輸出端連接。

3.根據權利要求1所述的多天線模式的射頻前端電路，其特征在于，N為4；

所述單刀N擲開關(6)還包括：

輸入端口(P1)、第一輸出端口(P2)、第二輸出端口(P3)、第三輸出端口(P4)以及第四輸出端口(P5)；

耦合電感電路，包括第一電感線圈(L1)、第二電感線圈(L2)以及第三電感線圈(L3)，所述第一電感線圈(L1)與所述輸入端口(P1)連接，所述第二電感線圈(L2)連接在所述第一輸出端口(P2)與所述第二輸出端口(P3)之間，所述第三電感線圈(L3)連接在所述第三輸出端口(P4)與所述第四輸出端口(P5)之間；

晶體管控制電路，包括分別與所述第一輸出端口(P2)、所述第二輸出端口(P3)、所述第三輸出端口(P4)、所述第四輸出端口(P5)連接的第n控制電路，其中n依次對應為一至四；所述晶體管控制電路基于各個控制電路的電平信號，選擇一個輸出端口實現與所述輸入端口導通，以及利用與各個輸出端口連接的電感線圈、除該輸出端口之外的其余輸出端口所連接的控制電路，配置該輸出端口的負載，以實現該輸出端口的負載匹配。

4.根據權利要求3所述的多天線模式的射頻前端電路，其特征在于，所述單刀N擲開關(6)還包括：

控制端口組，所述控制端口組包括第一控制端口(V1)，第二控制端口(V2)，第三控制端口(V3)以及第四控制端口(V4)，所述第一控制端口(V1)與所述第一控制電路連接，所述第二控制端口(V2)與所述第二控制電路連接，所述第三控制端口(V3)與所述第三控制電路連接，所述第四控制端口(V4)與所述第四控制電路連接，所述控制端口組用于為所述晶體管控制電路提供電平信號。

5.根據權利要求4所述的多天線模式的射頻前端電路，其特征在于，所述第n控制電路包括：第n晶體管(Mn)、第n柵極偏置電阻(Rn)以及所述第n晶體管(Mn)的源極間的第n外接電阻(Rsubn)，所述第n柵極偏置電阻(Rn)連接在所述第n晶體管(Mn)的柵極與所述第n控制端口(Vn)之間，所述第n晶體管(Mn)的漏極與所述第n輸出端口并聯，所述第n晶體管(Mn)的源極接地，所述第n外接電阻(Rsub n)的一端與所述第n晶體管(Mn)的襯底連接，所述第n外接電阻(Rsub n)的另一端接地。

6.根據權利要求5所述的多天線模式的射頻前端電路，其特征在于，所述第一控制端口(V1)提供第一電平信號，所述第二控制端口(V2)、所述第三控制端口(V3)以及所述第四控制端口(V4)提供第二電平信號，所述第一晶體管(M1)開關斷開，所述第二晶體管(M2)、所述第三晶體管(M3)以及所述第四晶體管(M4)開關導通，所述輸入端口(P1)與所述第一輸出端口(P2)導通。