[發明專利]陣列基板的制作方法以及陣列基板

有效

• 申請號: 202011191919.5
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112309970B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 儲周碩;王帥毅;劉永;李廣圣;葉寧;殷桂華
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成柵極；

在所述柵極及所述襯底基板上依次沉積柵極絕緣層、金屬氧化物半導體層和源漏金屬層，所述源漏金屬層的金屬材料每平方的阻抗值低于0.08Ω/m²、并且所述源漏金屬層的厚度為100nm-300nm；

在所述源漏金屬層上涂覆光刻膠，并形成第一光刻膠圖案；

對所述金屬氧化物半導體層和所述源漏金屬層進行一次濕法刻蝕，以圖案化所述金屬氧化物半導體層和所述源漏金屬層；

對所述第一光刻膠圖案進行一次灰化處理，以形成第二光刻膠圖案；

對圖案化得所述源漏金屬層進行一次干法刻蝕，以形成溝道；

所述干法刻蝕使用的氣體為Ar/Cl₂混合氣體，所述混合氣體的壓力為15-25mt，所述混合氣體的流量比為1:3-1:5，所述混合氣體的處理時間為30s-60s；

在所述干法刻蝕之后，采用O₂/CF₄混合氣體來去除所述溝道內的殘留物，所述混合氣體的壓力為50-70mt，所述混合氣體的流量比為10：1-20:1。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏金屬層的金屬材料的阻抗值在0.03Ω/m²-0.06Ω/m²。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在對所述光刻膠進行灰化處理處理后，還包括：

去除未被完全灰化的所述光刻膠的殘留物。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，采用流量為2000sccm-4000sccm的氣體去除所述光刻膠的殘留物。

5.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在去除所述光刻膠的殘留物之后，還包括：

去除圖案化的所述源漏金屬層表面的氧化層。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，采用Ar/Cl₂混合氣體來去除所述氧化層；所述混合氣體的壓力為8-15mt，所述混合氣體的流量比為1:5-1:10，所述混合氣體的處理時間為20s-40s。

7.根據權利要求1-6任一項所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏金屬層的金屬材料為Mo合金、Ti合金、MgAl合金中的一種或多種。

8.一種陣列基板，其特征在于，由權利要求1-7任一項所述的制作方法制備，包括：層疊設置的襯底基板、柵極、柵極絕緣層和金屬氧化物半導體，同層設置在所述金屬氧化物半導體上的源極和漏極，所述源極和所述漏極的金屬材料的阻抗小于Cu的阻抗值、并且所述源極和所述漏極的厚度為100nm-300nm。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述源極和所述漏極的金屬材料為Mo合金、Ti合金、MgAl合金中的一種或多種。