[發明專利]一種等離子體處理裝置及其工作方法

在審

• 申請號: 202011191143.7
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN114446748A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 王明明;黃允文;吳狄;楊金全
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張妍

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包含：

真空反應腔，其由反應腔腔體和腔體端蓋包圍而成；

下電極組件，設置在所述真空反應腔內；

可移動上電極組件，與所述下電極組件相對設置，所述可移動上電極組件和下電極組件之間為等離子體環境；

所述反應腔腔體設置有若干個觀測窗，所述觀測窗外部設置有若干個可移動監測儀，所述可移動監測儀用于監測所述可移動上電極組件與所述下電極組件之間的夾角和同心度。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述可移動監測儀包含：

自準直儀，所述自準直儀分別向所述可移動上電極組件和所述下電極組件的側面發射信號光，以測量兩者之間的夾角；

激光位移傳感器，所述激光位移傳感器分別向所述可移動上電極組件和所述下電極組件的側面發射信號光，以測量兩者之間的同心度。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述可移動上電極組件和所述下電極組件接收信號光處設置有反射鏡或鍍膜處理。

4.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述腔體端蓋開設有一通孔，所述可移動上電極組件貫穿所述腔體端蓋的通孔，所述可移動上電極組件頂部通過若干個第一調節組件安裝在所述腔體端蓋上方，所述可移動上電極組件底部在所述真空反應腔內。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一調節組件包含：

第一水平件，其與所述可移動上電極組件連接，所述第一水平件開設有孔結構；

第一螺柱，其底部與所述腔體端蓋連接，其頂部穿過所述第一水平件的孔結構，并借助螺母將其固定。

6.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述腔體端蓋與所述可移動上電極組件接觸部位為弧形結構。

7.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述下電極組件為可移動下電極組件，所述等離子體處理裝置還包含：

升降裝置，與所述下電極組件連接以使所述下電極組件升降，所述升降裝置包含支撐結構和驅動機構；

所述支撐結構包含：

連接橋，所述驅動機構通過若干個連接組件與所述連接橋連接，所述下電極組件通過機械緊固裝置與所述連接橋連接，所述驅動機構驅動所述連接橋升降以帶動所述下電極組件升降。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包含：

若干個導向桿，所述連接橋對應開設有若干個通孔，所述導向桿一端與所述反應腔腔體底部連接，另一端穿過所述連接橋的通孔以保證所述連接橋上下移動的垂直性。

9.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包含：

若干個可調螺絲組件，其一端與所述下電極組件連接，另一端與所述連接橋連接，所述可調螺絲組件可使所述下電極組件發生水平位移。

10.如權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述可調螺絲組件包含：

第二螺柱，其與所述下電極組件連接；

垂直件，其與所述連接橋連接，所述垂直件開設有橫向通孔，所述第二螺柱穿過所述橫向通孔并采用螺母固定。

11.如權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述可調螺絲組件沿所述連接橋對稱均勻分布。

12.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包含：

若干個滑動支架，所述可移動監測儀設置于所述滑動支架上以便發生位移；

和/或，若干個可移動擋板，設置于所述真空反應腔內觀測窗位置處；和/或，若干個密封結構，所述密封結構一端與所述腔體端蓋連接，另一端與所述可移動上電極組件連接，和/或，所述密封結構一端與所述下電極組件連接，另一端與所述反應腔腔體底部連接。