[發(fā)明專(zhuān)利]通過(guò)回流填充材料進(jìn)行溝槽填充

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011190662.1
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113078110A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳文彥;王立廷;謝宛蓁;盧柏全;黃泰鈞;張惠政;楊育佳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8234
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 陳蒙

1.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

在基底結(jié)構(gòu)上方形成第一突出鰭和第二突出鰭，其中，溝槽位于所述第一突出鰭和所述第二突出鰭之間；

沉積延伸到所述溝槽中的溝槽填充材料；

對(duì)所述溝槽填充材料執(zhí)行激光器回流工藝，其中，在所述激光器回流工藝中，所述溝槽填充材料的溫度高于所述溝槽填充材料的第一熔點(diǎn)，并且低于所述第一突出鰭和所述第二突出鰭的第二熔點(diǎn)；

在所述激光器回流工藝之后，使得所述溝槽填充材料被凝固；

對(duì)所述溝槽填充材料進(jìn)行圖案化，其中，所述溝槽填充材料的剩余部分形成柵極堆疊件的部分；以及

在所述柵極堆疊件的一側(cè)上形成源極/漏極區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述激光器回流工藝之前，在所述溝槽填充材料中存在空隙，并且在所述激光器回流工藝之后，所述空隙的尺寸至少被減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述激光器回流工藝之后，消除所述空隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一突出鰭和所述第二突出鰭由晶體硅形成，并且所述溝槽填充材料包括非晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述溝槽填充材料被凝固之后，平坦化所述溝槽填充材料，其中，對(duì)所述溝槽填充材料進(jìn)行圖案化在經(jīng)平坦化的溝槽填充材料上執(zhí)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括：

在所述柵極堆疊件的側(cè)壁上形成柵極間隔件；

移除所述柵極堆疊件，以在所述柵極間隔件之間形成附加溝槽；以及

在所述附加溝槽中形成替代柵極堆疊件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底結(jié)構(gòu)包括表面電介質(zhì)區(qū)域，其中，所述溝槽填充材料接觸所述表面電介質(zhì)區(qū)域，并且其中，在所述激光器回流工藝中，所述溝槽填充材料的溫度進(jìn)一步低于所述表面電介質(zhì)區(qū)域的第三熔點(diǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述激光器回流工藝中加熱或冷卻所述基底結(jié)構(gòu)和所述溝槽填充材料。

9.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

形成延伸到半導(dǎo)體襯底中的隔離區(qū)域；

使得所述隔離區(qū)域凹陷，使得所述半導(dǎo)體襯底中在所述隔離區(qū)域之間的部分突出得高于經(jīng)凹陷的隔離區(qū)域以形成突出鰭；

沉積硅區(qū)域，其中，所述硅區(qū)域延伸到所述突出鰭之間的溝槽中，并且在所述硅區(qū)域中形成空隙；

平坦化所述硅區(qū)域的頂表面，其中，在所述平坦化之后，所述空隙被密封在所述硅區(qū)域中；

在所述空隙被密封在所述硅區(qū)域中的情況下，通過(guò)回流所述硅區(qū)域來(lái)減小所述空隙的尺寸；以及

對(duì)所述硅區(qū)域進(jìn)行圖案化。

10.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

將第一材料沉積到突出結(jié)構(gòu)和基底層上，其中，所述突出結(jié)構(gòu)突出得高于所述基底層，并且空隙被密封在所述第一材料中，并且其中：

所述第一材料具有第一熔點(diǎn)；

所述突出結(jié)構(gòu)包括具有第二熔點(diǎn)的第二材料；以及

與所述第一材料接觸的所述基底層的表面區(qū)域包括具有第三熔點(diǎn)的第三材料，并且所述第一熔點(diǎn)低于所述第二熔點(diǎn)和所述第三熔點(diǎn)兩者；以及

回流所述第一材料以消除所述空隙，其中，所述回流通過(guò)在所述第一材料上投射輻射來(lái)執(zhí)行。