[發(fā)明專利]熒光膠體、高光效光源及高光效光源的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011189516.7
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112266783A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳益;黃蒙召;陳馳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州數(shù)通光電有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/02
• 分類號(hào): C09K11/02;H01L33/50;H01L33/60
• 代理公司: 北京市卓華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11299
• 代理人: 周瑞艷

1.熒光膠體，由多種原料混合而成，其特征在于所述原料包括或主要包括熒光粉和硅膠，所述熒光粉與所述硅膠的質(zhì)量比為(0.05-0.7):(1.2-1.8)。

2.如權(quán)利要求1所述的熒光膠體，其特征在于所述原料還包括二氧化硅，所述二氧化硅質(zhì)量相對(duì)總質(zhì)量的比例為0.5%-2%。

3.如權(quán)利要求2所述的熒光膠體，其特征在于所述二氧化硅為氣相二氧化硅。

4.如權(quán)利要求3所述的熒光膠體，其特征在于所述氣相二氧化硅為一甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷或六甲基二硅氮烷。

5.高光效光源，包括基板，所述基板上設(shè)有發(fā)光晶體和熒光體，所述熒光體固結(jié)在所述基板上，所述發(fā)光晶體位于所述熒光體內(nèi)，其特征在于所述熒光體采用權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的熒光膠體固化而成。

6.如權(quán)利要求5所述的高光效光源，其特征在于所述基板上設(shè)有硅膠圍壩，所述熒光體設(shè)置在所述硅膠圍壩圍成的環(huán)形區(qū)域內(nèi)，其邊緣部位與所述硅膠圍壩固結(jié)在一起。

7.如權(quán)利要求6所述的高光效光源，其特征在于所述發(fā)光晶體通過(guò)絕緣硅膠固定于所述基板上，所述絕緣硅膠的高度小于所述發(fā)光晶體的高度的1/3。

8.如權(quán)利要求7所述的高光效光源，其特征在于所述基板為納米級(jí)多層鍍膜基板。

9.如權(quán)利要求5-8所述的高光效光源的制作方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在基板上設(shè)置線路層；

2）在基板上設(shè)置硅膠圍壩；

3）在基板上設(shè)置發(fā)光晶體，實(shí)現(xiàn)發(fā)光晶體的電路連接；

4）在硅膠圍壩圍成的環(huán)形區(qū)域內(nèi)涂敷熒光膠體并固化，形成熒光體。

10.如權(quán)利要求9所述的高光效光源的制作方法，其特征在于對(duì)所述熒光膠體進(jìn)行固化的方式為先使用加熱設(shè)備在所述基板的底部進(jìn)行高溫快速固化，再使用烤箱對(duì)所述高光效光源進(jìn)行烘烤固化，所述快速固化的加熱溫度為80-120℃，加熱時(shí)間小于20分鐘；所述烘烤固化的方式為先采用100℃烘烤60分鐘，再采用160℃烘烤180分鐘。