[發明專利]一種ZnO量子點摻雜的SiO2

有效

• 申請號: 202011189254.4
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112768533B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 黃建勇;費廣濤;許少輝;張敏;倪志龍;王彪
• 申請（專利權）人: 上海西源新能源技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0264;H01L31/0288;H01L31/18
• 代理公司: 合肥和瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 34118
• 代理人: 魏玉嬌

1.一種ZnO量子點摻雜的SiO₂下轉換減反射膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、制備ZnO量子點：采用溶膠-凝膠法制備ZnO量子點；

S2、制備酸性SiO₂溶膠：以正硅酸四乙酯即TEOS作為硅源、硝酸作為催化劑、無水乙醇作為溶劑，通過水解聚合反應制得酸性SiO₂溶膠；

S3、摻入ZnO量子點：將ZnO量子點分散于無水乙醇中，ZnO量子點的分散濃度為0.5～3mol/L，然后將陳化3天后的酸性SiO₂溶膠逐滴加到分散有ZnO量子點的無水乙醇溶液中，邊滴加邊攪拌，滴加的酸性SiO₂溶膠中含有的SiO₂與ZnO量子點中含有的ZnO的摩爾比為1:(2～8)，攪拌5～10min，制得摻入ZnO量子點的溶膠；

S4、提拉鍍膜：用清洗好的玻璃基片在上述摻雜ZnO量子點的溶膠中進行提拉鍍膜，鍍膜時玻璃基片下降速度為50～100mm/min，玻璃基片在溶膠中的浸漬時間為60s，玻璃基片上升速度為50～100mm/min，將鍍膜玻璃基片在60℃的烘箱中烘干；

S5、高溫退火：將烘干的鍍膜玻璃基片放于管式爐中，500℃退火2～3h，然后在管式爐中自然降溫到室溫后取出，即制得ZnO量子點摻雜的SiO₂下轉換減反射膜；

其中，步驟S1、S2不分先后順序。

2.根據權利要求1所述一種ZnO量子點摻雜的SiO₂下轉換減反射膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述ZnO量子點的制備方法如下：

稱取二水醋酸鋅即Zn(AC)₂·2H₂O溶于無水乙醇溶液中，30～80℃水浴攪拌30～100min，記為A溶液；

稱取氫氧化鉀溶于無水乙醇，攪拌至溶解，記為B溶液；

然后將B溶液逐滴滴加到A溶液中，其中A溶液中Zn(AC)₂·2H₂O和B溶液中KOH的摩爾質量比為1:1.5，30～80℃水浴攪拌30～60min，得到澄清溶液；

將正己烷與上述澄清溶液按體積比為3:1混合，靜置20min，然后離心、洗滌，得到ZnO量子點。

3.根據權利要求1所述一種ZnO量子點摻雜的SiO₂下轉換減反射膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述酸性SiO₂溶膠的制備方法如下：

將正硅酸四乙酯即TEOS和無水乙醇混合，在室溫條件下磁力攪拌20～30min，轉速500～600r/min，配成C溶液；

將HNO₃和H₂O混合并攪拌2～3min，配成溶液D；

其中，溶液C和D溶液中TEOS、無水乙醇、HNO₃、H₂O各物質的摩爾比為1:7:0.035:4；

將D溶液緩慢滴加到C溶液中制成反應前驅溶液；

將配制好的反應前驅溶液放于60℃的恒溫水浴鍋中，并以500～600r/min的轉速進行磁力攪拌，反應2～5h，制得酸性SiO₂溶膠。

4.根據權利要求1所述一種ZnO量子點摻雜的SiO₂下轉換減反射膜的制備方法，其特征在于，步驟S4中所述玻璃基片的清洗步驟如下：將玻璃基片放在5wt％的氫氧化鈉溶液中浸泡20～30min，將玻璃基片擦拭干凈，再用清水或無水乙醇沖洗3-5次，然后浸泡在去離子水中超聲20min，最后置于烘箱內烘干待用。

5.一種由權利要求1-4任意一項的制備方法制得的ZnO量子點摻雜的SiO₂下轉換減反射膜。