[發明專利]單晶錠的制造方法和單晶晶片的制造方法

在審

• 申請號: 202011188769.2
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112746323A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 森山隼;阿部淳;丹野雅行;桑原由則
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C30B29/30
• 分類號: C30B29/30;C30B15/00;C30B15/36;C30B11/14;G01N29/06;G01N29/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔡曉菡;梅黎

1.單晶錠的制造方法，其特征在于，包括：

準備具有晶體生長軸的第一單晶錠的步驟；

從前述第一單晶錠中切出評價用基板和晶種用錠，在前述晶種用錠上形成投影面的步驟；

對前述評價用基板測定局部的音速，在前述評價用基板上的測定的音速的測定值為規定范圍內的位置處配置正常點的步驟；

在前述投影面上配置前述正常點的映射的步驟；

從前述晶種用錠中切出包含通過前述正常點的映射且與前述晶體生長軸平行的直線的晶體片的步驟；和

將前述晶體片用作晶種而制作第二單晶錠的步驟。

2.根據權利要求1所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，

將代表前述評價用基板、或從與前述第一單晶錠不同的第一單晶錠中切出的評價用基板的音速規定為音速的代表值；

將前述音速的代表值與音速的測定值之差的絕對值達到規定值以下的位置設為正常點。

3.根據權利要求2所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，前述音速的代表值為多點測定的音速的測定值的中位數。

4.根據權利要求2或3所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，將前述音速的代表值與前述音速的測定值之差的絕對值達到0.60m/s以下的位置設為正常點。

5.根據權利要求1~4中任一項所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，進一步包括：

在前述評價用基板上的測定的音速的測定值偏離規定范圍的位置處配置異常點的步驟；和

在前述投影面上配置前述異常點的映射的步驟；

前述晶種是不含通過前述異常點的映射且與前述晶體生長軸平行的直線的晶體片。

6.根據權利要求1~5中任一項所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，前述音速是在前述評價用基板的表面上傳播的LSAW(Leaky Surface Acoustic Wave，漏聲表面波)的相速。

7.根據權利要求1~6中任一項所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，在制作前述第二單晶錠時，以前述晶種的晶種側作為起點而使晶體生長。

8.根據權利要求1~7中任一項所述的單晶錠的制造方法，其特征在于，前述第一單晶錠和前述第二單晶錠的材料是鈮酸鋰單晶或鉭酸鋰單晶。

9.單晶晶片的制造方法，其特征在于，包括：將通過權利要求1~8中任一項所述的單晶錠的制造方法制造的前述第二單晶錠切片而制作單晶晶片的步驟。