[發(fā)明專利]一種含咔唑啉結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物及其應(yīng)用和一種有機(jī)電致發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011188655.8
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN112745339B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂瑤;馮美娟;吳衛(wèi)娜;范洪濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京綠人科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C07D519/00
• 分類號(hào): C07D519/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 陳靜;劉依云

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，公開了一種含咔唑啉結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物及其應(yīng)用和一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該化合物具有式(I)所示的通式結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的化合物具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、分解溫度及高折射率，應(yīng)用于器件上的覆蓋層時(shí)，能夠提高陰極的光取出效率，進(jìn)而提高了器件的發(fā)光效率及使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，具體涉及一種含咔唑啉結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物、該含咔唑啉結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用、一種含咔唑啉結(jié)構(gòu)的有機(jī)化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光現(xiàn)象是1963年P(guān)ope等人最早發(fā)現(xiàn)的，他們發(fā)現(xiàn)蒽的單層晶體在高達(dá)400V以上電壓的驅(qū)動(dòng)下，可以發(fā)出微弱的藍(lán)光，但驅(qū)動(dòng)電壓高，單晶蒽厚度大，因此沒有引起人們的廣泛關(guān)注。

直到1987年柯達(dá)公司的鄧青云博士等人報(bào)道了基于熒光效率高、電子傳輸性好的8-羥基喹啉鋁和空穴傳輸性良好的芳香二胺兩種有機(jī)半導(dǎo)體材料，通過真空熱蒸鍍制備了器件為三明治型的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，在驅(qū)動(dòng)電壓小于10V的器件亮度達(dá)到1000cd/m²，外量子效率達(dá)到了1％，使得有機(jī)電致發(fā)光材料及器件具有了實(shí)用性的可能，從此大大推動(dòng)了OLED材料及器件的研究。

OLED按照出光方式分為底發(fā)射器件和頂發(fā)射器件，底發(fā)射器件所采用的陽(yáng)極是透明的，一般是透明的銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)通過濺射的方式生長(zhǎng)在透明的玻璃基板上形成透明的陽(yáng)極，再將各有機(jī)功能材料通過蒸鍍或其他的制備方式依次生長(zhǎng)在透明陽(yáng)極上，再選擇合適的陰極制備成有機(jī)電致發(fā)光器件，發(fā)光層發(fā)出的光通過ITO和玻璃基本發(fā)射出來(lái)。

采用底發(fā)射的方式制備顯示屏，由于驅(qū)動(dòng)電壓和顯示區(qū)域要同時(shí)制作在玻璃基板上，導(dǎo)致顯示區(qū)域的面積相對(duì)減少，進(jìn)而導(dǎo)致顯示屏的開口率降低。

與底發(fā)射器件比，頂發(fā)射器件由于本身的特點(diǎn)，光從頂部電極射出，在有源驅(qū)動(dòng)OLED中，像素驅(qū)動(dòng)電路、總線等可以制作在顯示區(qū)域的下方，顯示區(qū)域面積相對(duì)增大，顯示屏的開口率增加。

由于頂發(fā)射器件制作的顯示屏具有分辨率高、信息含量高等優(yōu)點(diǎn)，這都使得頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件受到越來(lái)越多的關(guān)注，成為研究的熱點(diǎn)。

對(duì)于頂發(fā)射OLED器件，光需要通過半透明的金屬陰極射出，半透明的金屬電極的厚度不但影響電極的導(dǎo)電性也極大地影響著光的透光率、反射率及光的吸收率，厚度太薄影響電極的導(dǎo)電率，厚度太厚則影響光的透過率。

早在20世紀(jì)60年代，就發(fā)現(xiàn)金屬薄層的光透過率可以通過在金屬薄層表面覆蓋介電層物質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)提高或者降低(A.Vasicek,Optics of Thin Films,North-Holland,Amsterdam,1960)。

2001年柯達(dá)的研究者將此現(xiàn)象應(yīng)用在OLED器件中，發(fā)現(xiàn)通過在金屬陰極表面濺射一層高折射率的無(wú)機(jī)材料可使半透明陰極的光透過率從沒有使用覆蓋層材料的30％左右，提高到75％左右，這就大大提高了OLED器件的光取出性能(Hung et al.Appl.Phys.Lett.,2001,78,544)，從中可以發(fā)現(xiàn)具有高折射率的介電覆蓋層材料能夠有效的減少光能在光學(xué)元件表面的反射，從而提高半透明金屬電極的光透過率。

另外，表1中列舉了光透過率與覆蓋層(CPL)的折射率的關(guān)系。

表1