[發明專利]一種可以提高環形件內表面電鍍層均勻性的鍍腔

有效

• 申請號: 202011188602.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112301394B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 吳向清;宋嘉蕾;謝發勤;李浪;周穎
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C25D7/04
• 分類號: C25D7/04;C25D17/02;C25D5/08;C25D5/02
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 云燕春

1.一種可以提高環形件內表面電鍍層均勻性的鍍腔，其特征在于：包括鍍腔蓋板、作為陰極的待鍍件、陽極棒和絕緣壁；

所述絕緣壁是徑向截面為圓形的漏斗結構，作為漏斗型緩沖區，其小徑端作為入水口，大徑端與所述待鍍件同軸連接；

所述鍍腔蓋板為圓形板狀結構，其端面上沿周向均布多個通孔作為出水口；

所述待鍍件為圓環結構，其兩端口處分別與所述鍍腔蓋板、絕緣壁同軸密封連接，構成陀螺型鍍腔；

所述陽極棒為圓柱狀結構，其頂端同軸固定于鍍腔蓋板的內端面，下端為半球體結構，位于絕緣壁的大徑端內；陽極棒與待鍍件相對位置的部分作為導電的陽極表面，其余部分涂有絕緣膠。

2.根據權利要求1所述可以提高環形件內表面電鍍層均勻性的鍍腔，其特征在于：所述鍍腔蓋板的出水口的數量為4個。

3.根據權利要求1所述可以提高環形件內表面電鍍層均勻性的鍍腔，其特征在于：所述鍍腔蓋板、絕緣壁與待鍍件的連接處均設置有環形凹槽，用于安裝密封圈，實現鍍腔蓋板、絕緣壁與待鍍件的密封連接。

4.一種采用權利要求1-3任一項所述可以提高環形件內表面電鍍層均勻性的鍍腔制備環形待鍍件內壁上均勻的Ni-SiC復合鍍層的方法，其特征在于具體步驟如下：

步驟一：安裝待鍍件的尺寸設計和制作所述鍍腔蓋板、陽極棒和絕緣壁；同時配置鍍液；

步驟二：將鍍腔蓋板、陽極棒、待鍍件和絕緣壁從上到下依次同軸安裝；

步驟三：將鍍液通過管路從儲液槽通入所述陀螺型鍍腔的入水口，再利用泵的壓力，鍍液流經陀螺型鍍腔的內腔，從出水口流出；最后鍍液回流至儲液槽，完成一個循環。

5.根據權利要求4所述制備環形待鍍件內壁上均勻的Ni-SiC復合鍍層的方法，其特征在于：所述陰極的軸向高度為80mm，陽極棒外表面與陰極內表面之間的距離為45mm，陽極棒軸向高度為137mm，其中作為導電的陽極表面高度為65mm；入水口所在平面至陽極根部距離為85mm，漏斗型緩沖區壁面長度165mm。

6.根據權利要求4所述制備環形待鍍件內壁上均勻的Ni-SiC復合鍍層的方法，其特征在于：所述出水口直徑為20mm，入水口直徑為40mm。