[發明專利]便于工件流轉的鍍膜機

在審

• 申請號: 202011188410.5
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112342520A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 楊恒;唐蓮;唐洪波;梁紅;凌云;祝海生;孫桂紅;黃樂;黃國興
• 申請（專利權）人: 湘潭宏大真空技術股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/50;C23C14/35
• 代理公司: 湖南喬熹知識產權代理事務所(普通合伙) 43262
• 代理人: 安曼

本發明公開一種便于工件流轉的鍍膜機，便于工件流轉的鍍膜機包括第一流轉平臺、第一處理室、鍍膜室、第二處理室、第二流轉平臺以及多個承載架，所述鍍膜室的兩側分別與所述第一處理室和所述第二處理室連通，所述第一處理室遠離所述鍍膜室的一側與所述第一流轉平臺連通，所述第二處理室遠離所述鍍膜室的一側與所述第二流轉平臺連通，所述承載架用于承載工件在所述鍍膜機內流轉。本發明提供了一種方便工件流轉從而提升工件鍍膜效率的鍍膜機。

技術領域

本發明涉及真空鍍膜設備領域，尤其涉及一種便于工件流轉的鍍膜機。

背景技術

真空鍍膜是目前較為前沿的鍍膜技術，而真空鍍膜中的磁控濺射鍍膜法采用通過通電陽極放出電子，并使電子在電場的加速作用下與真空腔內的氣體分子碰撞，從而使氣體分子電離，而電離的氣體分子又在電場的作用下轟擊陰極上的金屬粒子，使金屬粒子電離濺射，并使得電離出來的金屬離子沉積于工件表面形成薄膜，其中為了使電子能夠更加高效的與氣體分子進行碰撞，從而提高氣體分子電離率，采用在陰極內部裝入磁鐵形成磁控陰極，因此電子在電場及磁場的共同作用下，將會在真空腔內形成螺旋式軌跡來增加電子與氣體分子的碰撞概率。

目前所使用的磁控濺射真空鍍膜機為單加工室，在實際生產中，由于在每次鍍膜前都需要對工件進行處理后再對加工室進行抽真空，因此在上次鍍膜完成后需要重新將加工室內恢復正常氣壓并對工件進行前處理后再重新將加工室內抽取真空，因而在工件的處理過程中鍍膜機上僅存在一個工件進行鍍膜，從而使得工件無法有效流轉，進而降低了鍍膜效率。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種便于工件流轉的鍍膜機，旨在解決工件流轉不便導致工件鍍膜效率較低的問題。

為實現上述目的，本發明提出的一種便于工件流轉的鍍膜機包括第一流轉平臺、第一處理室、鍍膜室、第二處理室、第二流轉平臺以及多個承載架，所述鍍膜室的兩側分別與所述第一處理室和所述第二處理室連通，所述第一處理室遠離所述鍍膜室的一側與所述第一流轉平臺連通，所述第二處理室遠離所述鍍膜室的一側與所述第二流轉平臺連通，所述承載架用于承載工件在所述鍍膜機內流轉。

在一實施例中，所述便于工件流轉的鍍膜機包括第一插板閥和第二插板閥，所述第一插板閥插裝在所述第一處理室和所述鍍膜室之間，所述第二插板閥插裝在所述第二處理室和所述鍍膜室之間。

在一實施例中，所述第一流轉平臺和所述第二流轉平臺位于同一水平面上并平行設置。

在一實施例中，所述第一流轉平臺包括第一工位和第二工位，所述第二流轉平臺包括第三工位和第四工位，所述第一工位和所述第一處理室相連通，所述第三工位與所述第二處理室相連通，所述第二工位和所述第四工位相對應，所述第一工位和所述第三工位相對應。

在一實施例中，所述便于工件流轉的鍍膜機還包括第一移動組件和第二移動組件，所述第一移動組件設置在所述第一流轉平臺上，所述第二移動組件設置在所述第二流轉平臺上，所述承載架能夠在所述第一移動組件上滑動以在所述第一工位和所述第二工位上流轉，所述承載架能夠在所述第二移動組件上滑動以在所述第三工位和所述第四工位上流轉。

在一實施例中，所述第一移動組件包括第一滑軌、第二滑軌以及移動軌道，所述第一滑軌和所述第二滑軌沿所述第一流轉平臺的長度方向延伸并間隔平行設置，所述移動軌道與所述第一滑軌垂直設置，且所述移動軌道的一端架設在所述第一滑軌上，所述移動軌道的另一端架設在所述第二滑軌上，以使所述移動軌道在所述第一滑軌和所述第二滑軌上滑動，所述承載架能夠設置于所述移動軌道上。

在一實施例中，所述鍍膜室呈圓形，沿所述鍍膜室的外圓周間隔設置有多個濺射陰極。

在一實施例中，所述第一處理室和所述第二處理室外部均設置有處理裝置，所述處理裝置為蒸發器、離子源清洗器以及所述濺射陰極中的任一種。