[發明專利]半導體裝置結構的形成方法

在審

• 申請號: 202011187912.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112750704A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 李東穎;張開泰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體裝置結構的形成方法，包括：

提供一基板、一第一納米結構與一第二納米結構，其中該基板具有一基底與該基底上的一鰭狀物，且該第一納米結構與該第二納米結構依序堆疊于該鰭狀物上；

形成一隔離層于該基底上，其中該隔離層的一第一上側部分的寬度朝著該基底增加；

形成一柵極介電層于該第一納米結構、該第二納米結構、該鰭狀物與該隔離層上，其中該柵極介電層具有一第一部分與一第二部分；

形成一柵極層于該第一部分上；

形成一間隔物層于該柵極層的一第一側壁、該柵極介電層的該第一部分的一第二側壁與該隔離層的該第一上側部分之上的該柵極介電層的該第二部分的一第三側壁上；

移除該柵極介電層的該第二部分與該隔離層的該第一上側部分，以形成一空間于該鰭狀物與該間隔物層之間；以及

形成一源極/漏極結構于該空間之中與該第一納米結構及該第二納米結構之上。