[發(fā)明專利]適用于堿拋工藝單晶PERC-SE雙面電池制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011187845.8
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN112382698A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王斌;戴大洲;趙晨;蔣萬昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;C23C16/50;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/34
• 代理公司: 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.適用于堿拋工藝單晶PERC-SE雙面電池制作方法，其特征在于：順序按照清洗制絨、擴(kuò)散制結(jié)、激光摻雜、PSG+堿拋、二氧化硅層制備、背鈍化膜制備、正面氮化硅層制備、背面激光開槽、正背面電極制備的工藝步驟制備，二氧化硅層制備時(shí)，采用熱氧化方法在硅片正、背面沉積一層二氧化硅薄膜，其中，熱氧化溫度：300-900℃，氧氣流量：100-10000sccm，時(shí)間：2- 50min；背鈍化膜制備時(shí)，使用管式PECVD法在硅片背面制備Alx1Oy1/ Six2Ny2Oz/Six3Ny3疊層膜，其中，Alx1Oy1膜厚度為3-50nm，折射率：1.0--5.0；Six2Oy2Nz膜厚度：10-100nm，折射率：1.0-5.0；Six3Ny3膜厚度：20-200nm，折射率：1.0-5.0，其中，x1、y1、z、x2、y2、x3、y3為分子式中的原子個(gè)數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于堿拋工藝單晶PERC-SE雙面電池制作方法，其特征在于：Alx1Oy1膜、Six2Oy2Nz膜、Six3Ny3膜的折射率相同；Alx1Oy1膜工藝條件為，溫度在100-800度、時(shí)間5-1000s、TMA10-500sccm、笑氣100-10000sccm、壓力100-5000pa、功率500-30000、占空比1/3——1/1000；Six2Oy2Nz膜工藝條件為，溫度100-800度、時(shí)間30-2000s、笑氣100-10000sccm、氨氣100-20000sccm、壓力100-5000pa、功率500-30000、占空比1/3——1/1000；Six3Ny3膜的工藝條件為，溫度100-800度、時(shí)間100-2000s、硅烷100-10000sccm、氨氣100-20000sccm、壓力100-5000pa、功率500-30000、占空比1/3——1/1000。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于堿拋工藝單晶PERC-SE雙面電池制作方法，其特征在于：背面激光開槽時(shí)，利用激光相融原理進(jìn)行背面鈍化膜局部開槽，背面激光圖形參數(shù)為：線數(shù)：50-200根；光斑直徑：5-100μm，激光線的間距：100-10000μm；激光功率：5-100W。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于堿拋工藝單晶PERC-SE雙面電池制作方法，其特征在于：正背面電極制備的工藝步驟制備時(shí)，背面印刷背面電極和鋁柵線，采用鋁柵線寬度100-10000um的網(wǎng)版，通過抓取Mark點(diǎn)定位使其鋁柵線完全將激光槽覆蓋，副柵根數(shù)：50-200根；正面印刷正面電極銀柵線，采用銀柵線寬度15-75um的網(wǎng)版，通過抓取Mark點(diǎn)定位使其銀柵線完全填充在Laser激光光斑內(nèi)，再經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，制得單晶PERC雙面電池。