[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011187330.8 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN114429959A | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 周洋;韓林宏;楊慧娟 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 蔣冬梅;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板,包括:顯示區域、挖槽區域以及電容補償區域。顯示區域至少部分地包圍挖槽區域,電容補償區域位于顯示區域和挖槽區域之間。電容補償區域設置有第一電容補償單元。第一電容補償單元包括:依次設置在基底上的半導體結構、第一金屬結構和第二金屬結構。半導體結構和第二金屬結構之間的絕緣層設置有多個第一過孔,第二金屬結構通過多個第一過孔與半導體結構連接。第一金屬結構包括沿第一方向延伸的多條第二柵線。第二柵線與第二金屬結構和半導體結構形成電容。多個第一過孔沿第一方向排布,且在垂直于第一方向的第二方向上,相鄰兩個第一過孔之間的距離至少大于兩條第二柵線的寬度之和。
技術領域
本文涉及但不限于顯示技術領域,尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的迅速發展,消費者對顯示裝置的外觀要求越來越高,許多顯示面板由傳統的方形變為目前流行的異形結構,比如顯示區的圓角化、顯示區的異形挖槽等,異形結構對制作商無疑是一種挑戰。例如,具有凹口設計的異形顯示屏(例如,“劉海”屏)越來越多地被手機制造商所采用。這種異形顯示屏有利于獲取更高的屏占比,而且顯示屏中的凹口設計能夠為前置攝像頭等部件預留設計空間。然而,這種凹口設計會導致在凹口兩側的像素的柵線信號與其他顯示區域的像素的柵線信號出現差異,這種差異可能導致顯示不均(Mura)問題。
發明內容
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
本公開提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
一方面,本公開提供一種顯示基板,包括:顯示區域、挖槽區域以及電容補償區域。所述顯示區域至少部分地包圍所述挖槽區域,所述電容補償區域位于所述顯示區域和所述挖槽區域之間。所述顯示區域內設置有多條第一柵線。所述電容補償區域設置有第一電容補償單元。所述第一電容補償單元包括:依次設置在基底上的半導體結構、第一金屬結構和第二金屬結構。所述半導體結構與第一金屬結構相互絕緣,所述第一金屬結構與第二金屬結構相互絕緣。所述半導體結構和第二金屬結構之間的絕緣層設置有多個第一過孔,所述第二金屬結構通過所述多個第一過孔與所述半導體結構連接。所述第一金屬結構包括沿第一方向延伸的多條第二柵線,至少一條第二柵線與對應的第一柵線連接;所述第二柵線在所述基底上的正投影與所述第二金屬結構在所述基底上的正投影至少部分交疊,且所述第二柵線在所述基底上的正投影與所述半導體結構在所述基底上的正投影至少部分交疊;所述第二柵線與所述第二金屬結構和半導體結構形成電容。所述多個第一過孔沿所述第一方向排布,且在垂直于所述第一方向的第二方向上,相鄰兩個第一過孔之間的距離至少大于兩條第二柵線的寬度之和。
另一方面,本公開提供一種顯示裝置,包括如上所述的顯示基板。
另一方面,本公開提供一種顯示基板的制備方法。所述顯示基板包括:顯示區域、挖槽區域以及電容補償區域,所述顯示區域至少部分地包圍所述挖槽區域,所述電容補償區域位于所述顯示區域和所述挖槽區域之間。所述制備方法,包括:提供一基底;在位于顯示區域和挖槽區域之間的電容補償區域,在所述基底上依次形成半導體結構、第一金屬結構和第二金屬結構。其中,所述半導體結構與第一金屬結構相互絕緣,所述第一金屬結構與第二金屬結構相互絕緣,所述半導體結構和第二金屬結構之間的絕緣層設置有多個第一過孔,所述第二金屬結構通過所述多個第一過孔與所述半導體結構連接。所述第一金屬結構包括沿第一方向延伸的多條第二柵線,分別與顯示區域內的多條第一柵線連接;所述第二柵線在所述基底上的正投影與所述第二金屬結構在所述基底上的正投影至少部分交疊,且所述第二柵線在所述基底上的正投影與所述半導體結構在所述基底上的正投影至少部分交疊;所述第二柵線與所述第二金屬結構和半導體結構形成電容。所述多個第一過孔沿所述第一方向排布,且在垂直于所述第一方向的第二方向上,相鄰兩個第一過孔之間的距離至少大于兩條第二柵線的寬度之和。
在閱讀并理解了附圖和詳細描述后,可以明白其他方面。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





