[發明專利]像素補償電路、顯示裝置和像素補償方法

有效

• 申請號: 202011187155.2
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112289266B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 陳彩琴
• 申請（專利權）人: 維沃移動通信有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種像素補償電路，其特征在于，包括：發光二極管、數據信號傳輸端、高電壓傳輸端、復位信號傳輸端、掃描信號輸入端、開關信號輸入端、補償模塊、驅動模塊和復位模塊；所述驅動模塊、所述補償模塊和所述復位模塊中至少一個模塊包括開關晶體管；

所述掃描信號輸入端分別與所述補償模塊的第一控制端、所述復位模塊的控制端以及所述驅動模塊的第一控制端連接，所述開關信號輸入端分別與所述補償模塊的第二控制端以及所述驅動模塊的第二控制端連接；

所述補償模塊的輸入端與所述數據信號傳輸端連接，所述驅動模塊的輸入端與所述高電壓傳輸端連接，所述復位模塊的輸入端與所述復位信號傳輸端連接；

所述補償模塊的輸出端、所述驅動模塊的輸出端以及所述復位模塊的輸出端分別與所述發光二極管的陽極連接，所述發光二極管的陰極與基準電壓傳輸端連接；

所述驅動模塊包括：驅動晶體開關、第一晶體開關和第二晶體開關；

所述第一晶體開關的源極與所述高電壓傳輸端連接，所述第一晶體開關的柵極與所述開關信號輸入端連接，所述第一晶體開關的漏極與所述驅動晶體開關的源極連接；

所述驅動晶體開關的漏極與所述第二晶體開關的源極連接，所述驅動晶體開關的柵極通過所述補償模塊與所述驅動晶體開關的源極連接，所述驅動晶體開關的漏極還通過所述補償模塊與所述數據信號傳輸端連接；

所述第二晶體開關的漏極分別與所述發光二極管的陽極、所述復位模塊以及所述補償模塊連接，所述第二晶體開關的柵極與所述掃描信號輸入端連接；

所述補償模塊包括：第三晶體開關、第四晶體開關和電容；

所述第三晶體開關的源極與所述數據信號傳輸端連接，所述第三晶體開關的漏極與所述驅動晶體開關的漏極連接，所述第三晶體開關的柵極與所述開關信號輸入端連接；

所述第四晶體開關的源極與所述驅動晶體開關的源極連接，所述第四晶體開關的漏極分別與所述驅動晶體開關的柵極和所述電容的第一端連接，所述第四晶體開關的柵極與所述掃描信號輸入端連接；

所述電容的第二端分別與所述復位模塊和所述發光二極管的陽極連接；

所述復位模塊包括：第五晶體開關，所述第五晶體開關的柵極與所述掃描信號輸入端連接；所述第五晶體開關的源極連接于所述復位信號傳輸端；所述第五晶體開關的漏極連接于所述電容的第二端。

2.根據權利要求1所述的像素補償電路，其特征在于，所述驅動晶體開關、所述第三晶體開關、所述第四晶體開關以及所述第五晶體開關為NMOS管；所述第一晶體開關和所述第二晶體開關為PMOS管。

3.根據權利要求2所述的像素補償電路，其特征在于，所述驅動晶體開關為低溫多晶硅LTPS NMOS管，所述第三晶體開關、所述第四晶體開關以及所述第五晶體開關為氧化物NMOS管。

4.根據權利要求1所述的像素補償電路，其特征在于，所述驅動晶體開關、所述第一晶體開關、所述第四晶體開關以及所述第五晶體開關為NMOS管；所述第三晶體開關和所述第二晶體開關為PMOS管。

5.根據權利要求1所述的像素補償電路，其特征在于，所述驅動晶體開關、所述第一晶體開關以及所述第二晶體開關為NMOS管；所述第三晶體開關、所述第四晶體開關以及所述第五晶體開關為PMOS管。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5中任一項所述的像素補償電路。