[發(fā)明專利]一種PtSe2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011186185.1
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112510109B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張晗;林志滔;張家宜
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳大學(xué)
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 廣州專才專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44679
• 代理人: 曾嘉儀

1.一種PtSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)光電探測器，其特征在于，包括硅基底以及設(shè)置于所述硅基底上的二氧化硅絕緣層，所述二氧化硅絕緣層上設(shè)有二硒化鉑層，所述二硒化鉑層上設(shè)有CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)層； 所述二硒化鉑層上還設(shè)有對電極，所述對電極設(shè)于CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)層的兩側(cè)；所述二硒化鉑層的厚度為1～20nm，所述CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)層的厚度為10～100nm；所述二氧化硅絕緣層上設(shè)有呈陣列布置的二硒化鉑層、CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)層以及電極，形成陣列型PtSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)光電探測器；所述對電極為Cr/Au電極。

2.一種PtSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 制備二硒化鉑層：提供設(shè)有二氧化硅絕緣層的硅基底，在所述二氧化硅絕緣層上鍍上金屬鉑，采用化學(xué)氣相沉淀法將金屬鉑硒化成二硒化鉑，制得二硒化鉑層； 制備電極：利用光刻技術(shù)在二硒化鉑層表面刻上電極圖案，再在電極圖案上蒸鍍電極并去除多余的光刻膠，制得電極； 制備PtSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)光電探測器：利用噴墨打印技術(shù)在二硒化鉑層表面打印CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)，所述CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)覆蓋二硒化鉑層且設(shè)于電極之間，制得PtSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)光電探測器；在制備二硒化鉑層步驟中，所述化學(xué)氣相沉淀法的反應(yīng)條件包括：反應(yīng)溫度400℃，反應(yīng)時間120min，混合氣包括氬氣和氫氣，且氬氣的流量為135sccn，氫氣的流量為15sccn；在制備二硒化鉑層步驟中，利用光刻技術(shù)將制得的二硒化鉑層制作成二硒化鉑層陣列圖案，制作過程為：利用光刻技術(shù)在制得的二硒化鉑層表面刻上陣列圖案，再利用等離子刻蝕技術(shù)將剩余的二硒化鉑去掉，同時去除多余的光刻膠，形成二硒化鉑陣列圖案；在制備電極步驟中，所述光刻技術(shù)為紫外光刻技術(shù)，光刻膠為AR-N4340光刻膠，曝光時間為11s，顯影時間為50s，利用電子束蒸發(fā)技術(shù)蒸鍍上電極圖案。

3.權(quán)利要求1所述的PtSe2/CsPbI3異質(zhì)結(jié)光電探測器在可見光及近紅外光探測上的應(yīng)用。