[發(fā)明專利]光刻顯影的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011185746.6 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112327584A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賀曉彬;張青竹;李博;劉金彪;張兆浩;李亭亭;李俊峰;楊濤 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | G03F7/30 | 分類號: | G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619 | 代理人: | 金銘 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻 顯影 方法 | ||
本發(fā)明涉及光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種光刻顯影的方法光刻顯影的方法,包括以下步驟:在晶圓上涂敷光刻膠并對光刻膠進(jìn)行曝光;然后對晶圓進(jìn)行顯影;控制晶圓旋轉(zhuǎn),并對顯影處理后的晶圓進(jìn)行沖洗;將沖洗處理后的晶圓甩干;其中,在沖洗過程中,晶圓在預(yù)設(shè)時間內(nèi)在第一轉(zhuǎn)速和第二轉(zhuǎn)速之間交替變化。將晶圓的轉(zhuǎn)速進(jìn)行了分段式交替變化,避免沖水過程中,晶圓的過高轉(zhuǎn)速對光刻膠表面造成的損傷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種光刻顯影的方法。
背景技術(shù)
在光刻工藝中,顯影是光刻的一步重要工藝,顯影的效果也會直接影響光刻結(jié)果。顯影時間到達(dá)后,應(yīng)立即使用如圖1所示的去離子沖洗程序沖洗晶圓。去離子水不僅使顯影過程終止,而且把顯影過程中產(chǎn)生的光刻膠顆粒等沖洗掉,在沖洗過程中,晶圓旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力也幫助去除表面顆粒。
目前當(dāng)光刻膠厚度較厚(大于7um)時,在顯影的過程中,降低沖水轉(zhuǎn)速后可能會導(dǎo)致顯影副產(chǎn)物無法甩出,進(jìn)而導(dǎo)致光刻膠表面的損傷100,具體損傷情況如圖2所示。
發(fā)明內(nèi)容
為克服上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種光刻顯影的方法,旨在解決上述至少一個技術(shù)問題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種光刻顯影的方法,包括以下步驟:
在所述晶圓上涂敷光刻膠;
對所述晶圓進(jìn)行曝光和顯影;
控制晶圓旋轉(zhuǎn),并對顯影處理后的晶圓進(jìn)行沖洗;
將沖洗處理后的晶圓甩干;
其中,在沖洗過程中,所述晶圓在預(yù)設(shè)時間內(nèi)在第一轉(zhuǎn)速和第二轉(zhuǎn)速之間交替變化。
附圖說明
通過閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述,各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的,而并不認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。而且在整個附圖中,用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中:
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶圓在不同階段的轉(zhuǎn)速變化;
圖2為經(jīng)過圖1處理后的光刻膠表面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本申請實(shí)施例處理后的光刻膠表面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下,將參照附圖來描述本公開的實(shí)施例。但是應(yīng)該理解,這些描述只是示例性的,而并非要限制本公開的范圍。此外,在以下說明中,省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述,以避免不必要地混淆本公開的概念。
在附圖中示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的各種結(jié)構(gòu)示意圖。這些圖并非是按比例繪制的,其中為了清楚表達(dá)的目的,放大了某些細(xì)節(jié),并且可能省略了某些細(xì)節(jié)。圖中所示出的各種區(qū)域、層的形狀以及它們之間的相對大小、位置關(guān)系僅是示例性的,實(shí)際中可能由于制造公差或技術(shù)限制而有所偏差,并且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際所需可以另外設(shè)計(jì)具有不同形狀、大小、相對位置的區(qū)域/層。
在本公開的上下文中,當(dāng)將一層/元件稱作位于另一層/元件“上”時,該層/元件可以直接位于該另一層/元件上,或者它們之間可以存在居中層/元件。另外,如果在一種朝向中一層/元件位于另一層/元件“上”,那么當(dāng)調(diào)轉(zhuǎn)朝向時,該層/元件可以位于該另一層/元件“下”。
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種光刻顯影的方法,該方法包括以下步驟:
Step1:在晶圓上涂敷光刻膠;
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