[發明專利]高K值低殘留單體聚合物粉末及其制備方法在審
| 申請號： | 202011185195.3 | 申請日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112225835A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 孫旭東;張軍偉;張森林;呂利紅;張德棟;王軍 | 申請（專利權）人： | 博愛新開源醫療科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C08F6/00 | 分類號： | C08F6/00;C08L39/06 |
| 代理公司： | 焦作市科彤知識產權代理事務所(普通合伙) 41133 | 代理人： | 楊明環 |
| 地址： | 454450 河南省焦*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 殘留 單體 聚合物 粉末 及其 制備 方法 | ||
1.高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，包括單體聚合反應得到聚合物液體，聚合物液體經干燥、粉碎，得到聚合物粉末，其特征在于，將所述聚合物粉末在加熱、負壓、動態混合，或者加熱、氮氣吹掃、動態混合的條件下處理。
2.根據權利要求1所述的高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，其特征在于，所述聚合物粉末為PVP粉末或NVP/NVCL共聚物粉末。
3.根據權利要求1或2所述的高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，其特征在于，所述聚合物粉末的K值范圍為45-100。
4.根據權利要求1所述的高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，其特征在于，所述加熱的溫度為140-160℃，負壓的壓力為-0.090MPa至-0.10MPa，攪拌頻率為10-60Hz，處理時間為1-36hr。
5.根據權利要求4所述的高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，其特征在于，處理采用的裝置為耙式干燥機或錐式干燥機。
6.根據權利要求1所述的高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，其特征在于，所述加熱的溫度為140-160℃，所述氮氣吹掃的引風頻率為10-50Hz，沸騰時間為1-8hr。
7.根據權利要求6所述的高K值低殘留單體聚合物粉末的制備方法，其特征在于，處理采用的裝置為沸騰流化床。
8.采用權利要求1-7中任意一項所述的制備方法制得的高K值低殘留單體聚合物粉末。
9.根據權利要求8所述的高K值低殘留單體聚合物粉末，其特征在于，該聚合物粉末的殘留單體含量低于10ppm，外觀為淡黃色至乳白色粉末。
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