[發明專利]電池片的組合印刷方法以及電池片有效
| 申請號: | 202011185062.6 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112310245B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發明(設計)人: | 來俊男;周國棟;錢偉華;潘鵬飛;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 晶科能源(海寧)有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;B41M1/12;B41M3/00 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池 組合 印刷 方法 以及 | ||
1.一種電池片的組合印刷方法,其特征在于,包括:
提供電池片基板;
先在所述電池片基板上印刷形成多個主柵,所述主柵相互平行,且在所述主柵的延伸方向上,每一所述主柵兩側均具有多個間隔設置的第一缺口;
然后在所述電池片基板上印刷形成多個副柵,所述副柵的延伸方向垂直于所述主柵的延伸方向,在垂直于所述電池片基板的方向上,所述副柵的高度大于所述主柵的高度,且所述副柵至少位于相鄰兩個所述主柵之間,所述副柵的兩端分別填充滿相鄰兩個所述主柵的一個所述第一缺口;
所述副柵包括底層副柵和頂層副柵;在所述底層副柵的延伸方向上,所述底層副柵的長度大于位于相鄰所述主柵的相鄰所述第一缺口之間的間隔,所述頂層副柵的長度小于所述底層副柵的長度。
2.根據權利要求1所述的電池片的組合印刷方法,其特征在于,在所述電池片基板上印刷形成多個主柵的步驟包括:
采用第一絲網印刷圖形形成所述主柵,所述第一絲網印刷圖形包括多個沿所述電池片基板的第一方向延伸的第一長條狀圖形,所述長條狀圖形相互平行,且所述長條狀圖形的兩側均具有多個相互間隔設置的第二缺口,所述第二缺口用于在所述電池片基板上印刷所述第一缺口。
3.根據權利要求2所述的電池片的組合印刷方法,其特征在于,在所述電池片基板上印刷形成多個副柵的步驟包括:
采用第二絲網印刷圖形形成所述底層副柵,所述第二絲網印刷圖形包括多個沿所述電池片基板的第二方向延伸的第二長條狀圖形,且所述第二方向垂直于所述第一方向,多個所述第二長條狀圖形呈規則陣列式排布,且所述第二長條狀圖形在所述電池片基板上的正投影覆蓋所述第二缺口在所述電池片基板上的正投影;
采用第三絲網印刷圖形在所述底層副柵遠離所述電池片基板一側形成所述頂層副柵,所述第三絲網印刷圖形包括多個沿所述第二方向延伸的第三長條狀圖形,多個所述第三長條狀圖形呈規則陣列式排布,且所述第三長條狀圖形在所述電池片基板上的正投影位于所述第二長條狀圖形在所述電池片基板上的正投影中。
4.根據權利要求3所述的電池片的組合印刷方法,其特征在于,在沿所述第一方向上,所述第二長條狀圖形的寬度大于所述第二缺口的寬度,且所述第三長條狀圖形的寬度小于所述第二長條狀圖形的寬度;在沿所述第二方向上,所述第二長條狀圖形的長度大于位于相鄰所述第一長條狀圖形的相鄰所述第二缺口之間的間隔,且所述第三長條狀圖形的長度小于所述第二長條狀圖形的長度。
5.根據權利要求3所述的電池片的組合印刷方法,其特征在于,采用燒穿型漿料印刷形成所述底層副柵。
6.根據權利要求5所述的電池片的組合印刷方法,其特征在于,采用不燒穿型漿料印刷形成所述主柵和所述頂層副柵。
7.一種電池片,其特征在于,包括:
電池片基板、多個主柵和與所述主柵搭接的多個副柵,所述主柵和所述副柵均位于所述電池片基板上,所述多個主柵相互平行,所述副柵的延伸方向垂直于所述主柵的延伸方向,且所述主柵的兩側在與多個所述副柵的搭接處具有第一缺口,所述副柵的兩端分別內嵌于相鄰兩個所述主柵的一個所述第一缺口;
所述副柵包括在垂直于所述電池片基板的方向上依次堆疊設置的底層副柵和頂層副柵;在所述底層副柵的延伸方向上,所述底層副柵的長度大于位于相鄰所述主柵的相鄰所述第一缺口之間的間隔,所述頂層副柵的長度小于所述底層副柵的長度。
8.根據權利要求7所述的電池片,其特征在于,所述底層副柵的材質為燒穿型漿料,所述頂層副柵和主柵的材質為不燒穿型漿料。
9.根據權利要求7所述的電池片,其特征在于,在垂直于所述底層副柵的延伸方向上,所述底層副柵的寬度大于所述第一缺口的寬度,所述頂層副柵的寬度小于所述底層副柵的寬度;在垂直于所述電池片基板的方向上,所述底層副柵的高度大于所述主柵的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





