[發(fā)明專利]一種適用于薄型單晶硅片的制絨添加劑及應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011184800.5
• 申請(qǐng)日: 2020-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN112226819A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張麗娟;周樹偉;陳培良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B33/10
• 分類號(hào): C30B33/10;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種適用于薄型單晶硅片的制絨添加劑及應(yīng)用，所述制絨添加劑由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：絨面成核劑0.5~5.0%、絨面緩蝕劑0.02~0.5%、絨面尺寸調(diào)整劑0.001~0.01%、余量為去離子水。所述制絨添加劑應(yīng)用于薄型單晶硅片的制絨。本發(fā)明的制絨添加劑可獲得低減重和低反射率的雙重制絨效果，解決了薄型單晶硅片制絨后應(yīng)力翹曲導(dǎo)致的碎片化問題；所制成電池片的短路電流穩(wěn)定，波動(dòng)小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種制絨添加劑及應(yīng)用，尤其涉及一種適用于薄型單晶硅片的制絨添加劑及應(yīng)用。

背景技術(shù)

為了響應(yīng)國(guó)家平價(jià)上網(wǎng)政策的要求，降低度電成本，提高行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，光伏技術(shù)近年來一直處于快速發(fā)展，硅片薄片化是其中的一項(xiàng)重要技術(shù)。硅片厚度減薄的驅(qū)動(dòng)力根本上是攤薄成本，薄片化不僅能有效減少硅材料消耗，而且薄片化所體現(xiàn)出的硅片柔韌性也給電池、組件端帶來了更多的可能性。

目前，單晶硅片量產(chǎn)厚度已從190um下降至現(xiàn)有的170~175um，部分企業(yè)已具備140um 的切割技術(shù)，N型晶棒切割的N型硅片實(shí)際厚度可以做到100~120um。由于受制于電池和組件技術(shù)發(fā)展，預(yù)計(jì)量產(chǎn)的單晶硅片厚度在未來將下降至120~140um。

硅片薄片化除了受切片設(shè)備、金剛線線徑、工藝等制約，同時(shí)也隨著下游電池和組件技術(shù)的需求進(jìn)行變化。在晶硅太陽能電池片制造過程中，單晶硅片厚度變薄所帶來影響的不僅有光伏設(shè)備，還有添加劑、銀漿和網(wǎng)版等輔料，其中制絨添加劑是影響最為前端的部分。制絨的目的在于一定的減重范圍內(nèi)，在單晶硅片損傷層表面產(chǎn)生陷光作用的金字塔結(jié)構(gòu)，提高對(duì)太陽光的吸收率，從而提高晶硅電池片的發(fā)電效率。單晶硅片薄片化直接帶來的結(jié)果是硅片片內(nèi)翹曲和應(yīng)力問題，若是按照現(xiàn)有M2尺寸（邊距156.75mm）的雙面腐蝕深度8.5~10.5um進(jìn)行制絨，必然導(dǎo)致后道印刷工序的碎片率大幅上升，造成電池片良率下降，成本反而提升，所以為應(yīng)對(duì)硅片薄片化而開發(fā)的低減重、低反射率型制絨添加劑已刻不容緩。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：本發(fā)明提出一種制絨添加劑，能夠適用于薄型硅片，能夠達(dá)到良好的制絨效果。

本發(fā)明還提出了上述制絨添加劑的應(yīng)用。

技術(shù)方案：本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種適用于薄型單晶硅片的制絨添加劑，由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：絨面成核劑 0.5~5.0%、絨面緩蝕劑0.02~0.5%、絨面尺寸調(diào)整劑 0.001~0.01%，余量為去離子水。

優(yōu)選的，所述絨面成核劑為羧甲基纖維素鈉、黃原膠、海藻酸鈉中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述絨面緩蝕劑為鄰苯二甲酸鈉、對(duì)甲苯磺酸鈉、龍膽酸鈉中的一種或幾種。

優(yōu)選的，絨面尺寸調(diào)整劑為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的一種或幾種。

本發(fā)明還提供了上述制絨添加劑的應(yīng)用，所述制絨添加劑適用于薄型單晶硅片的制絨，具體包括以下步驟：

（1）配制制絨添加劑：將質(zhì)量百分比為0.5~5%的絨面成核劑、0.02~0.5%的絨面緩蝕劑、0.001~0.01%的絨面尺寸調(diào)整劑加入到余量的去離子水中，混合均勻配成制絨添加劑；

（2）配制制絨液：將步驟（1）的制絨添加劑按質(zhì)量百分比為0.4~1:100的比例加入到堿溶液中混合均勻，得制絨液；

（3）制絨：將薄型單晶硅片投入步驟（2）配制的制絨液中進(jìn)行表面制絨，溫度75~85℃，時(shí)間300~450s，取出硅片進(jìn)行水洗和酸洗，得制絨后硅片。

其中，步驟（2）中，所述堿溶液為0.5~2.5wt%的NaOH或KOH溶液。