[發明專利]一種LED芯片、制備方法及背光模組、顯示屏

有效

• 申請號: 202011184532.7
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN113451466B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 楊順貴;黃嘉宏
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00;G09F9/33
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

N型半導體層；

P型半導體層；以及

介于所述N型半導體層與所述P型半導體層之間的量子阱層；

分別與所述N型半導體層、P型半導體層電性連接的N電極、P電極；

其中，所述N型半導體層靠近所述量子阱層的表面包括第一區域與第二區域，所述第一區域中包括多個通過蝕刻形成的、凸起的錐狀島結構，所述第二區域為未經蝕刻的平坦結構；所述量子阱層同時覆蓋所述N型半導體層的所述第一區域與所述第二區域，且所述量子阱層與所述第一區域對應的部分被配置為發綠光，與所述第二區域對應的部分被配置為發藍光。

2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述量子阱層與所述P型半導體層之間設置有紅色量子點材料。

3.如權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述量子阱層上下兩個表面的形態一致；所述紅色量子點材料填充在所述量子阱層與所述第一區域對應的區域中。

4.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半導體層的材質為氮化鎵，所述錐狀島結構的晶向為半極性或非極性。

5.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層包括透明導電層。

6.如權利要求1-5任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述錐狀島結構為四面體結構或圓錐結構。

7.一種背光模組，其特征在于，包括驅動基板以及多顆如權利要求1-6任一項所述的LED芯片，所述LED芯片設置在所述驅動基板上，且所述N電極、P電極分別與所述驅動基板中的驅動電路電連接。

8.一種顯示屏，其特征在于，包括如權利要求7所述的背光模組。

9.一種LED芯片制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，并在所述襯底上形成N型半導體層，所述N型半導體層遠離所述襯底的上表面包括第一區域與第二區域；

僅對所述N型半導體層的第一區域進行蝕刻，在所述第一區域中形成多個凸起的錐狀島結構，且保持所述第二區域平坦；

在所述N型半導體層的所述上表面形成量子阱層，所述量子阱層同時覆蓋所述N型半導體層的所述第一區域與所述第二區域，且所述量子阱層與所述第一區域對應的部分被配置為發綠光，與所述第二區域對應的部分被配置為發藍光；

在所述量子阱層上設置P型半導體層；

設置分別與所述N型半導體層、P型半導體層電性連接的N電極、P電極，制得LED芯片。

10.如權利要求9所述的LED芯片制備方法，其特征在于，所述在所述N型半導體層的所述上表面形成量子阱層之后，所述在所述量子阱層上設置P型半導體層之前，還包括：

在所述量子阱層上表面與所述第一區域對應的區域中設置紅色量子點材料。