[發(fā)明專利]一種大功率發(fā)光芯片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011184252.6 | 申請日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112002789B | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐曉麗;劉芳;孫雷蒙;楊丹 | 申請（專利權(quán)）人： | 華引芯（武漢）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 張宇娟 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 大功率 發(fā)光 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種大功率發(fā)光芯片，其特征在于，依次包括外延片、第一電流擴(kuò)展層、反射層、第二電流擴(kuò)展層、阻擋層、鈍化層、金屬層以及電極；
所述電極包括P電極和N電極，所述第二電流擴(kuò)展層經(jīng)過圖形化處理，以將位于所述P電極周圍r1范圍內(nèi)的區(qū)域和位于所述P電極r2范圍外的區(qū)域連續(xù)覆蓋，其中，R表示P電極與芯片邊緣的最遠(yuǎn)距離；
所述外延片內(nèi)在對應(yīng)于所述N電極處開設(shè)有N孔，以與所述N電極導(dǎo)通，所述第一電流擴(kuò)展層內(nèi)于所述N孔周側(cè)開設(shè)有一圈或多圈小孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光芯片，其特征在于，所述第一電流擴(kuò)展層薄于所述第二電流擴(kuò)展層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率發(fā)光芯片，其特征在于，所述第一電流擴(kuò)展層的厚度為所述第二電流擴(kuò)展層的厚度為
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光芯片，其特征在于，所述第二電流擴(kuò)展層呈“E”字形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光芯片，其特征在于，所述第二電流擴(kuò)展層呈柵格狀。
6.一種大功率發(fā)光芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，制作外延片；
S2，在所述外延片表面利用磁控濺射或反應(yīng)等離子沉積工藝形成第一電流擴(kuò)展層；
S3，在所述第一電流擴(kuò)展層上方沉積反射層；
S4，在所述反射層上方沉積第二電流擴(kuò)展層，在所述第二電流擴(kuò)展層內(nèi)通過干法刻蝕進(jìn)行圖形化處理；
S5，在所述第二電流擴(kuò)展層上沉積阻擋層；
S6，在所述阻擋層上沉積鈍化層；
S7，在所述鈍化層上蒸鍍金屬層，然后分別制作N電極與P電極；
S1中還包括在所述外延片內(nèi)對應(yīng)于所述N電極的地方開設(shè)N孔，以暴露出外延片內(nèi)的N-GaN層、與所述N電極導(dǎo)通；
S2中第二電流擴(kuò)展層進(jìn)行圖形化處理具體為，將位于所述P電極周圍r1范圍內(nèi)的區(qū)域和位于所述P電極r2范圍外的區(qū)域連續(xù)覆蓋，其中，R表示P電極與芯片邊緣的最遠(yuǎn)距離；
S4中，在所述第一電流擴(kuò)展層內(nèi)相鄰于所述N孔的位置開設(shè)有一圈或多圈小孔。
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