[發(fā)明專利]一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011184011.1 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112329374B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉毅;荀奕琿;楊銀堂 | 申請(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | G06F30/38 | 分類號: | G06F30/38 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 胡樂 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 針對 大規(guī)模 電路 粒子 效應(yīng) 快速 仿真 方法 | ||
1.一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,包括:
步驟1)仿真設(shè)置
選定被分析電路,進(jìn)行仿真相關(guān)設(shè)置,包括故障注入設(shè)置、仿真時間設(shè)置、測量節(jié)點設(shè)置和仿真次數(shù)設(shè)置;
步驟2)網(wǎng)表提取與編輯
基于電路網(wǎng)表文件,依據(jù)步驟1)的設(shè)置,提取和編輯仿真所需文件,包括包含故障注入的晶體管級網(wǎng)表、不含故障注入的門級/RTL級/行為級網(wǎng)表、描述數(shù)模轉(zhuǎn)換接口的a2d文件、結(jié)果測量文件和testbench文件;
步驟3)混合仿真與分析
依據(jù)步驟2)提取的仿真文件,在步驟1)設(shè)置的仿真時間下,進(jìn)行模擬與數(shù)字的混合仿真,分析結(jié)果測量文件在仿真中得到的仿真結(jié)果,得出指定故障注入范圍情況下,電路對單粒子效應(yīng)的響應(yīng)情況;
步驟4)遍歷判斷
判斷故障注入范圍是否全電路遍歷;若否,更換故障注入設(shè)置,跳轉(zhuǎn)至步驟2);若是,跳轉(zhuǎn)至步驟5);
步驟5)面積等效分析
依據(jù)故障注入范圍面積、故障注入范圍中敏感部位的面積以及全電路的面積之間的關(guān)系,同時依據(jù)多次步驟3)中得到的不同故障注入范圍情況下電路對單粒子效應(yīng)的響應(yīng)情況,通過面積等效分析,完成全電路高速高精度的單粒子效應(yīng)仿真分析。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,在步驟3)的混合仿真過程中,故障注入的實現(xiàn)方式是采用SPICE語法中的分段線性電流源(PWL)形式添加至電路網(wǎng)表。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,在步驟3)的混合仿真過程中,故障注入采用單次仿真一個故障的隨機注入的模式,即每次仿真隨機選取故障注入范圍內(nèi)的一個電路節(jié)點、隨機選擇注入時間范圍內(nèi)的一個時間節(jié)點進(jìn)行注入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,步驟1)中所述故障注入設(shè)置的相關(guān)參數(shù)包括故障注入范圍、注入時間范圍和LET值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,步驟2)中,所有文件均通過Perl與Shell語言編寫的腳本生成;步驟3)中,使用Perl與Shell語言編寫的腳本完成仿真任務(wù)與結(jié)果統(tǒng)計,并實現(xiàn)結(jié)果分析,記錄電路出錯時的故障注入位置、時間與電路錯誤情況。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,步驟3)中所述混合仿真指定為數(shù)字頂層(verilog-top)的模式,相應(yīng)的,所述testbench文件中的激勵為數(shù)字激勵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,步驟3)中所述電路對單粒子效應(yīng)的響應(yīng)情況指單粒子軟錯誤率的統(tǒng)計,涉及的參數(shù)包括故障注入范圍、故障產(chǎn)生次數(shù)和仿真次數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,步驟3)中所述混合仿真,是使用模擬仿真器FineSim聯(lián)合數(shù)字仿真器VCS進(jìn)行仿真。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,所述被分析電路的面積大小通過Layout L或Design Compiler軟件工具分析得出。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種針對大規(guī)模電路的單粒子效應(yīng)快速仿真方法,其特征在于,所述混合仿真每次遍歷的粒子注入個數(shù)依據(jù)故障注入范圍中所有敏感部位的面積與全電路面積之間的比例關(guān)系設(shè)置,關(guān)系為:
Ni=Si/S·N
則總仿真粒子注入個數(shù)為:
其中,Ni為當(dāng)前遍歷的仿真粒子注入個數(shù),Si為當(dāng)前遍歷的故障注入范圍中敏感部位的面積,S為全電路面積,N為實際總粒子注入個數(shù),Ns為總仿真粒子注入個數(shù),n為遍歷次數(shù);
所述面積等效分析得到全電路的軟錯誤率與各項參數(shù)關(guān)系為:
其中,E為全電路的軟錯誤率,n為遍歷次數(shù),Mi為當(dāng)前遍歷的出錯次數(shù),N為實際總粒子注入個數(shù)。
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