[發(fā)明專利]一種基于交指化容性環(huán)的寬帶電小天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011183944.9 | 申請日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN112350061B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐明春;陳曉明;劉國;易達 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶大學(xué) |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48 |
| 代理公司: | 重慶市嘉允啟行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50243 | 代理人: | 胡柯 |
| 地址: | 400044 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 交指化容性環(huán) 寬帶 天線 | ||
1.一種基于交指化容性環(huán)的寬帶電小天線,其特征在于,包括有天線輻射單元,以及接地板(4)、50Ω同軸線饋電(5);
所述天線輻射單元垂直設(shè)置在所述接地板(4)上,所述天線輻射單元與50Ω同軸線饋電(5)內(nèi)導(dǎo)體相連,50Ω同軸線饋電(5)外導(dǎo)體與接地板(4)連接;
所述天線輻射單元包括用于多模疊加輻射的交指化容性環(huán)(1),用于激勵交指化容性環(huán)(1)的單極子輻射金屬條帶(3),以及半圓形介質(zhì)基板(2);
所述交指化容性環(huán)(1)蝕刻在半圓形介質(zhì)基板(2)一側(cè)的外邊緣上,所述半圓形介質(zhì)基板(2)的另一側(cè)還蝕刻有單極子輻射金屬條帶(3),所述半圓形介質(zhì)基板(2)垂直設(shè)置在所述接地板(4)上,所述單極子輻射金屬條帶(3)的底端與50Ω同軸線饋電(5)內(nèi)導(dǎo)體連接;
所述交指化容性環(huán)(1)包括若干個交指化模塊,每個交指化模塊尺寸相同,均包含若干個交指,若干個交指化模塊等間距的蝕刻在所述半圓形介質(zhì)基板(2)一側(cè)的外邊緣上;
所述半圓形介質(zhì)基板(2)半徑均為40mm—45mm,材料為Rogers RT/duroid6006,厚度為0.2mm—2mm;
所述交指化容性環(huán)(1)的寬度為g1 = 8—12mm, 包含有2—10個交指化模塊,每個交指化模塊的交指數(shù)量為8—10個,交指指寬w1=0.5mm,交指指縫寬g2=0.5mm,交指指長l1=10mm—15mm;
所述單極子輻射金屬條帶(3)距離半圓形介質(zhì)基板中心g3為 =5—15mm,其寬度為w2=0.2—0.6mm,長度為l2=30—35mm;
所述接地板(4)的半徑為60—150mm,厚度為0.5mm;
所述半圓形介質(zhì)基板(2)半徑均為40mm,厚度為0.5mm,材料為Rogers RT/duroid6006,其相對介電常數(shù)為6.15,相對磁導(dǎo)率為1.0,損耗角正切為0.0003;
所述交指化容性環(huán)(1)的寬度為g1 =10 mm,包含有8個交指化模塊,每個交指化模塊的交指數(shù)量為10個,交指指寬w1 = 0.5 mm,交指指縫寬g2 = 0.5 mm;交指指長l1 = 15 mm;
所述單極子輻射金屬條帶(3)距離半圓形介質(zhì)基板中心g3為= 13 mm,其寬度為w2 =0.2 mm, 長度為l2 = 33.5 mm;
所述接地板(4)的半徑為150mm,厚度為0.5mm。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于交指化容性環(huán)的寬帶電小天線,其特征在于,包含兩個天線輻射單元,兩個天線輻射單元正交疊放且均垂直設(shè)置在所述接地板(4)上,兩個交指化容性環(huán)(1)的單極子輻射金屬條帶(3)的底端分別與條形饋線(6)的一端連接,條形饋線(6)的中部還與50Ω同軸線饋電(5)內(nèi)導(dǎo)體連接;50Ω同軸線饋電(5)外導(dǎo)體與接地板(4)連接。
3.如權(quán)利要求2所述的一種基于交指化容性環(huán)的寬帶電小天線,其特征在于,所述條形饋線(6)寬度為w3 = 0.5—1mm, 長度為l3 =15—20mm。
4.如權(quán)利要求3所述的一種基于交指化容性環(huán)的寬帶電小天線,其特征在于,所述條形饋線(6)寬度為w3 = 0.5 mm,長度為l3 = 15 mm。
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