[發(fā)明專利]一種防SEMA攻擊的待測電路安全仿真分析方法和裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011183709.1
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112152780A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖裕民;陳嬌麗;劉承;駱飛;劉學(xué)
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳安捷麗新技術(shù)有限公司
• 主分類號: H04L9/00
• 分類號: H04L9/00
• 代理公司: 深圳市深弘廣聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44449
• 代理人: 向用秀

本發(fā)明提供了一種防SEMA攻擊的待測電路安全仿真分析方法和裝置，所述裝置包括：關(guān)鍵信息存儲單元，用于存儲關(guān)鍵信號和關(guān)鍵信號對應(yīng)的路徑信息；仿真電路單元，用于接收測試激勵信息進(jìn)行仿真測試；關(guān)鍵信號監(jiān)控單元，用于在仿真測試時(shí)，根據(jù)所述關(guān)鍵信號對應(yīng)的路徑信息監(jiān)控所述關(guān)鍵信號，并在所述關(guān)鍵信號發(fā)生變化時(shí)，記錄當(dāng)前時(shí)間戳信息；電磁輻射計(jì)算單元，用于計(jì)算待測電路在整個仿真過程中的電磁輻射仿真數(shù)據(jù)；電磁輻射分析單元，用于分析各關(guān)鍵信號在所述變化時(shí)間區(qū)對應(yīng)的電磁輻射信息是否存在相關(guān)性，若是則導(dǎo)出相關(guān)數(shù)據(jù)。通過上述方案，在芯片設(shè)計(jì)階段，就可以模擬芯片的安全仿真測試，且能夠自動完成電磁輻射攻擊分析。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種防SEMA攻擊的待測電路安全仿真分析方法和裝置。

背景技術(shù)

SSD數(shù)據(jù)存儲已經(jīng)逐漸成為消費(fèi)設(shè)備數(shù)據(jù)存儲和云存儲的主要存儲介質(zhì)。對于SSD數(shù)據(jù)存儲來說,數(shù)據(jù)糾錯的意義十分重大,特別是個人關(guān)鍵數(shù)據(jù)和政府機(jī)構(gòu)相關(guān)的數(shù)據(jù)。SSD主控芯片作為SSD存儲設(shè)備的大腦,其安全性能直接決定SSD硬盤整體最終的安全性能。

側(cè)信道攻擊是主要的黑客攻擊手段,在側(cè)信道攻擊中,SEMA攻擊又是最常用的的一種。SEMA是基于電磁輻射攻擊的一種方式，黑客通過分析待測電路在運(yùn)行關(guān)鍵信息時(shí)的電磁輻射信息就可以推斷出當(dāng)前待測電路正在運(yùn)算的內(nèi)容。目前技術(shù)上有很多防御電磁輻射攻擊的算法和方法,但是都是要等到測試芯片設(shè)計(jì)完成后再進(jìn)行詳細(xì)的驗(yàn)證。因此設(shè)計(jì)一種能夠快速的防電磁輻射攻擊驗(yàn)證仿真平臺就顯示非常有意義。

發(fā)明內(nèi)容

為此，需要提供一種防SEMA攻擊的待測電路安全仿真分析的技術(shù)方案，用以解決在芯片設(shè)計(jì)過程中無法針對電磁輻射攻擊進(jìn)行仿真防御的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提供了一種防SEMA攻擊的待測電路安全仿真分析裝置，所述裝置包括：

關(guān)鍵信息存儲單元，用于存儲關(guān)鍵信號和關(guān)鍵信號對應(yīng)的路徑信息；

仿真電路單元，用于接收測試激勵信息進(jìn)行仿真測試；所述激勵信息包括所述關(guān)鍵信號；

關(guān)鍵信號監(jiān)控單元，用于在仿真測試時(shí)，根據(jù)所述關(guān)鍵信號對應(yīng)的路徑信息監(jiān)控所述關(guān)鍵信號，并在所述關(guān)鍵信號發(fā)生變化時(shí)，記錄當(dāng)前時(shí)間戳信息，并將當(dāng)前時(shí)間戳信息存儲至變化時(shí)間存儲單元中；

電磁輻射計(jì)算單元，用于計(jì)算待測電路在整個仿真過程中的電磁輻射仿真數(shù)據(jù)，并將所述電磁輻射仿真數(shù)據(jù)存儲于電磁輻射數(shù)據(jù)存儲單元中；

電磁輻射分析單元，用于根據(jù)所述變化時(shí)間存儲單元中存儲的時(shí)間戳信息計(jì)算變化時(shí)間區(qū)，以及根據(jù)所述電磁輻射數(shù)據(jù)存儲單元中的電磁輻射仿真數(shù)據(jù)輸出各關(guān)鍵信號在所述變化時(shí)間區(qū)對應(yīng)的電磁輻射信息，并分析各關(guān)鍵信號在所述變化時(shí)間區(qū)對應(yīng)的電磁輻射信息是否存在相關(guān)性，若是則導(dǎo)出相關(guān)數(shù)據(jù)；

所述變化時(shí)間區(qū)是指當(dāng)前關(guān)鍵信號發(fā)生變化的時(shí)間戳信息與上一次該關(guān)鍵信號發(fā)生變化的時(shí)間戳信息的差值時(shí)間段。

進(jìn)一步地，所述裝置還包括：

仿真波形存儲單元，用于存儲仿真電路單元進(jìn)行仿真測試得到的仿真波形數(shù)據(jù)；

邏輯綜合單元，用于對待測電路進(jìn)行邏輯綜合運(yùn)算，得到網(wǎng)表信息；

ICC布局布線單元，用于根據(jù)所述網(wǎng)表信息計(jì)算電磁參數(shù)文件信息；

電磁輻射計(jì)算單元，用于獲取所述仿真波形數(shù)據(jù)和所述電磁參數(shù)文件信息，以計(jì)算待測電路在整個仿真過程中的電磁輻射仿真數(shù)據(jù)。

進(jìn)一步地，所述關(guān)鍵信號監(jiān)控單元包括標(biāo)記插入單元；

所述標(biāo)記插入單元用于設(shè)置標(biāo)記信號，并將所述標(biāo)記信號插入所述關(guān)鍵信號對應(yīng)的路徑信息中，以及在所述標(biāo)記信號值發(fā)生變化時(shí)，記錄當(dāng)前時(shí)間戳信息；所述標(biāo)記信號的值與所述關(guān)鍵信號的值實(shí)時(shí)相等。