[發明專利]一種用于超導型磁等離子體推進器的防羽流腐蝕裝置

有效

• 申請號: 202011182276.8
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112502927B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 鄭金星;宋云濤;馬林森;劉海洋;李明;朱小亮;吳友軍;劉菲;李永;周成;王戈;劉旭峰;朱雷
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: F03H1/00
• 分類號: F03H1/00
• 代理公司: 廣州科沃園專利代理有限公司 44416
• 代理人: 張帥

1.一種用于超導型磁等離子體推進器的防羽流腐蝕裝置，其特征在于，包括位于真空艙中的超導磁體、推進器、防護外殼和導流器；其中，所述真空艙的前端設置艙門，所述推進器位于真空艙的底部，所述超導磁體包括超導線圈，所述超導線圈環繞在所述推進器的周圍；

所述推進器包括推進器主體和噴射口，所述推進器主體包括陽極和陰極，所述噴射口位于所述推進器主體一側，所述噴射口連接在推進器一側的開口截面小于遠離推進器一側的開口截面；

所述防護外殼為位于所述推進器本體上方的中空柱狀結構；所述導流器固定連接在所述防護外殼上方，所述導流器為上端開口，下端封閉的錐形結構；所述防護外殼在水平方向上的截面面積大于所述推進器在水平方向上的截面面積；且防護外殼在垂直方向上完全覆蓋所述推進器；

還包括沉降單元，所述沉降單元包括沉降本體、冷卻支管和保護障板，其中，所述沉降單元位于所述艙門和推進器之間，所述沉降本體為正對噴射口的錐形結構；所述沉降本體正對噴射口的一側均勻分布冷卻支管，所述保護障板位于所述沉降本體外側；所述沉降本體靠近噴射口一側的截面面積大于所述噴射口的截面面積；所述保護障板焊接在所述冷卻支管上，且保護障板平行于所述冷卻支管；所述保護障板的厚度小于相鄰冷卻支管之間的間隙；

所述推進器陽極和陰極放電產生等離子體，經過超導線圈加速形成離子束，并經噴射口和艙門噴射出去；離子束噴射之后的羽流離子發生濺射從上方落下時進入至所述導流器中。

2.根據權利要求1所述的一種用于超導型磁等離子體推進器的防羽流腐蝕裝置，其特征在于，所述沉降本體為中心對稱圖形。

3.根據權利要求1所述的一種用于超導型磁等離子體推進器的防羽流腐蝕裝置，其特征在于，所述沉降本體兩側對稱設置固定架，所述固定架包括兩個固定桿，兩個固定桿的其中一端焊接在一起，另一端對稱位于所述沉降本體對稱中心的兩側；所述保護障板焊接在所述固定架中。

4.根據權利要求1所述的一種用于超導型磁等離子體推進器的防羽流腐蝕裝置，其特征在于，所述冷卻支管包括進液管和出液管。

5.根據權利要求1所述的一種用于超導型磁等離子體推進器的防羽流腐蝕裝置，其特征在于，所述防護外殼通過支撐臂固定在所述真空艙內部。