[發(fā)明專利]像素單元及其驅動方法、陣列基板和垂直配向型顯示裝置

在審

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• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112162425A
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發(fā)明（設計）人: 崔賢植
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種像素單元，其特征在于，包括：

第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層第一側的第一像素電極，所述第一像素電極包括多個第一電極條；

位于所述第一絕緣層第一側的公共電極，所述公共電極包括多個第二電極條，第二電極條與第一電極條沿第一方向依次交替排布，且相鄰的第二電極條與第一電極條之間具有狹縫；

位于所述第一絕緣層第二側的第二像素電極，所述第二像素電極至少重疊于所述狹縫所在的區(qū)域。

2.根據(jù)權利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括：

第一薄膜晶體管，位于所述第一絕緣層的第二側，所述第一薄膜晶體管的控制極被配置為與掃描信號線耦接，所述第一薄膜晶體管的第一極被配置為與第一數(shù)據(jù)電壓線耦接，所述第一薄膜晶體管的第二極被配置為與所述第一像素電極中的所述多個第一電極條耦接；

第二薄膜晶體管，位于所述第一絕緣層的第二側，所述第二薄膜晶體管的控制極被配置為與掃描信號線耦接，所述第二薄膜晶體管的第一極被配置為與第二數(shù)據(jù)電壓線耦接，所述第二薄膜晶體管的第二極被配置為與所述第二像素電極耦接；

所述公共電極被配置為與公共電壓線耦接。

3.根據(jù)權利要求2所述的像素單元，其特征在于，

所述第一絕緣層包括第一過孔；

所述第一像素電極還包括第一導電連接部，所述第一導電連接部連接所述多個第一電極條，并且所述第一導電連接部通過所述第一過孔連接至所述第一薄膜晶體管的第二極。

4.根據(jù)權利要求2所述的像素單元，其特征在于，

所述第二薄膜晶體管的柵絕緣層包括第二過孔；所述第一絕緣層還包括暴露出所述第二過孔的第三過孔；

所述公共電極包括第二導電連接部，所述第二導電連接部連接所述多個第二電極條，并且所述第二導電連接部通過所述第二過孔和所述第三過孔連接至所述公共電壓線。

5.根據(jù)權利要求2所述的像素單元，其特征在于，

所述第二像素電極為面狀電極，所述面狀電極位于所述第一絕緣層與所述第二薄膜晶體管的柵絕緣層之間；所述面狀電極直接連接至所述第二薄膜晶體管的第二極。

6.根據(jù)權利要求2所述的像素單元，其特征在于，

所述第二像素電極包括面狀電極和第三導電連接部，所述面狀電極位于所述第二薄膜晶體管的柵絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側；所述柵絕緣層包括第四過孔；所述第三導電連接部連接所述第二薄膜晶體管的第二極，并且所述第三導電連接部通過所述第四過孔連接所述面狀電極；或者，

所述第二像素電極包括面狀電極和第三導電連接部，所述面狀電極位于所述第二薄膜晶體管的柵絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側；所述柵絕緣層包括第四過孔；所述第一絕緣層包括暴露出所述第四過孔的第五過孔和暴露出所述第二薄膜晶體管的第二極的第六過孔；所述第三導電連接部通過所述第六過孔連接至所述第二薄膜晶體管的第二極，并且所述第三導電連接部通過所述第四過孔和所述第五過孔連接所述面狀電極。

7.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的像素單元，其特征在于，

所述多個第一電極條和所述多個第二電極條均呈直條狀。

8.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的像素單元，其特征在于，

所述多個第一電極條中的每個第一電極條包括依次連接的至少兩個第一電極段，相鄰的兩個第一電極段之間具有第一夾角，第一夾角大于或等于38度且小于或等于52度；

所述多個第二電極條中的每個第二電極條包括依次連接的至少兩個第二電極段，相鄰的兩個第二電極段之間具有第二夾角，第二夾角大于或等于38度且小于或等于52度。

9.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的像素單元，其特征在于，

所述狹縫的寬度大于或等于6.6μm，且小于或等于7.3μm。