[發明專利]一種TADF發光分子發光性能的高通量預測方法

有效

• 申請號: 202011181452.6
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112185478B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 譚箏;史衛梅;楊仕清
• 申請（專利權）人: 成都職業技術學院
• 主分類號: G16C20/20
• 分類號: G16C20/20;G06N3/08;G06N3/04
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 胡川

1.一種TADF發光分子發光性能的高通量預測方法，其特征在于，包括步驟：

S1：從有機分子化學數據庫中篩選出分子給體、分子受體以及分子連接體，其中，所述分子給體、分子受體滿足預設光電性能條件；

S2：按照BRICS逆向合成規則，根據分子給體-分子連接體-分子受體的合成方式對每個分子給體、分子受體以及分子連接體進行虛擬合成，得到TADF發光分子；

S3：選擇預定數量的TADF發光分子作為樣本分子，對所述樣本分子進行DFT或TDDFT計算，得到每一樣本分子的單重態-三重態激發能間隙ΔE_ST和躍遷振動強度f，作為每一樣本分子的發光性能指標；

S4：將樣本分子的分子結構轉換成ECFP分子指紋，使用基于深度神經網絡的回歸模型對樣本分子的ECFP分子指紋和發光性能指標進行訓練，并使用訓練好的回歸模型對所有TADF發光分子的發光性能指標進行預測；

S5：從所有TADF發光分子中選擇發光性能指標大于預設發光性能閥值的TADF發光分子作為實驗合成對象；

所述預設光電性能條件為E_HOMO-6.5eV和E_LUMO-1.0eV，E_HOMO表示最高占據分子軌道能量，E_LUMO表示最低未占分子軌道能量。

2.根據權利要求1所述的高通量預測方法，其特征在于，所述預設發光性能閥值為f0.1和ΔE_ST0.15eV或者f0.05和ΔE_ST0.175eV。

3.根據權利要求2所述的高通量預測方法，其特征在于，所述預定數量為所有TADF發光分子數量的千分之一或百分之一。

4.根據權利要求1所述的高通量預測方法，其特征在于，所述深度神經網絡為全連接深度神經網絡。

5.根據權利要求4所述的高通量預測方法，其特征在于，所述深度神經網絡的結構為四層，第一層為輸入層x，共有1024個神經元，與分子特征數量相同；第二層為第一隱藏層h1，共有512個神經元，每個神經元與輸入層全連接，由輸入層經過非線性變換h1＝Relu(w1x+b1)得到，其中，Relu為線性整流激活函數，w1為連接系數，b1為偏置，x為輸入層；第三層為第二隱藏層h2，共有256個神經元，每個神經元與第一隱藏層h1全連接，由第一隱藏層h1經過非線性變換h2＝Relu(w2h1+b2)得到，其中，w2為連接系數，b2為偏置；第四層為輸出層P，共有1個神經元，該神經元與第二隱藏層h2全連接，由第二隱藏層h2經過線性變換P＝w3h2+b3得到，其中，w3為連接系數，b3為偏置，輸出層P的輸出為發光性能指標。