[發明專利]一種用于磷酸鐵鋰基于CVD工藝的加工設備及基于設備的加工工藝

在審

• 申請號: 202011181443.7
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112553593A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 梅田隆太;鐘海
• 申請（專利權）人: 佛山高砂工業窯爐有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 廣州市智遠創達專利代理有限公司 44619
• 代理人: 卓幼紅

本發明公開了一種用于磷酸鐵鋰基于CVD工藝的加工設備及基于設備的加工工藝，其結構包括入口置換室，所述入口置換室側壁安裝有輥道窯體結構，所述輥道窯體結構包括升溫箱、恒溫箱、冷卻箱、CVD gas打入管、冷卻水噴頭、輥道傳送帶和電加熱器，所述輥道窯體結構遠離入口置換室的一側安裝有出口置換室，所述輥道窯體結構側壁安裝有固定結構。本發明結構新穎，且密封效果好，密封持久性強，生產安全可靠，節約使用成本，完成CVD包覆工藝，優化CVD包覆效果，其基于設備的加工工藝簡單、有效實現磷酸鐵鋰CVD包覆。

技術領域

本發明涉及CVD工藝加工設備領域，尤其涉及一種用于磷酸鐵鋰基于CVD工藝的加工設備及加工工藝。

背景技術

磷酸鐵鋰在燒成時，需要在微量氧環境下，將液態CVD gas在高溫狀態下轉換成氣態后裂解，裂解后的產物均勻地包覆在磷酸鐵鋰的表面，微量氧環境通常要求是窯內氧含量在數十ppm以下，達到窯內氧含量數十ppm以下的方法通常是往窯內打入濃度99.999％及以上的惰性氣體，將窯內的空氣置換出來，在進行CVD包覆時，由于CVD gas 為易燃有害氣體，使CVD gas在高溫環境下裂解，裂解后的元素包覆在磷酸鐵鋰表面，形成CVD包覆，包覆的量和均勻性決定了產品品質的好壞。

目前市場上所使用的最相近似的設備為普通連續式輥道窯體結構，將原料從輥道窯體結構入口向出口輸送，依次通過升溫段、恒溫段和冷卻段進行燒成，但現有設備通常無法做到密封，又或者密封性差，極易混入空氣，影響產品質量，生產時需要打入惰性氣體和CVD gas，由于現有設備的結構密封性差，存在CVD gas泄漏風險，CVD gas 泄漏會有極大安全隱患，且窯內空氣無法置換出來，達不到生產要求，無法進行CVD生產，整體復合程度高，設備生產難度較高，因此，為了解決此類問題，我們提出了一種用于磷酸鐵鋰基于CVD工藝的加工設備。

發明內容

本發明提出的一種用于磷酸鐵鋰基于CVD工藝的加工設備，解決了現有的加工設備存在的密封性差，極易混入空氣，影響產品質量，存在CVD gas泄漏風險，存在安全隱患，無法進行CVD生產的問題。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種用于磷酸鐵鋰基于CVD工藝的加工設備，包括入口置換室，所述入口置換室側壁安裝有輥道窯體結構，所述輥道窯體結構包括升溫箱、恒溫箱、冷卻箱、CVD gas打入管、冷卻水噴頭、輥道傳送帶和電加熱器，所述輥道窯體結構遠離入口置換室的一側安裝有出口置換室，所述輥道窯體結構側壁安裝有固定結構，所述固定結構包括固定塊和支撐底座，所述輥道窯體結構頂端安裝有排氣結構，所述排氣結構包括排氣處理爐、集塵機和排氣風機，所述輥道窯體結構遠離排氣結構的一側安裝有氣體打入結構，所述氣體打入結構包括惰性氣體打入管道和惰性氣體打入閥。

優選的，所述惰性氣體打入管道呈均勻分布在升溫箱、恒溫箱和冷卻箱側壁，且惰性氣體打入管道均貫穿升溫箱、恒溫箱和冷卻箱的側壁，所述惰性氣體打入閥安裝在惰性氣體打入管道靠近升溫箱、恒溫箱和冷卻箱的一端。

優選的，所述恒溫箱連接升溫箱和冷卻箱，所述入口置換室與升溫箱遠離恒溫箱的一側連接，所述出口置換室與冷卻箱遠離恒溫箱的一側連接，所述CVD gas打入管位于恒溫箱內側，所述冷卻水噴頭位于冷卻箱內側，所述電加熱器呈均勻分布在升溫箱和恒溫箱內側，所述輥道傳送帶貫穿升溫箱、恒溫箱和冷卻箱。

優選的，所述輥道窯體結構貫穿固定塊，所述固定塊底端側壁與支撐底座固定連接，所述固定塊和支撐底座均以輥道窯體結構的中軸線為對稱軸呈對稱分布。

優選的，所述排氣處理爐與輥道窯體結構的頂端連接，且排氣處理爐與輥道窯體結構的側壁，所述排氣處理爐遠離輥道窯體結構的一側的排氣口與集塵機的入口連接，所述集塵機遠離排氣處理爐一側的輸出口與排氣風機的輸入口連接。

優選的，所述入口置換室、輥道窯體結構、出口置換室、固定結構、排氣結構和氣體打入結構的連接處均設置有密封連接塊和密封墊片。