[發明專利]一種太陽能硅晶片抗光衰處理上料裝置及方法和抗光衰處理設備

在審

• 申請號: 202011181317.1
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112239062A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 徐建方;王鳳連;王莉霞
• 申請（專利權）人: 寧波初創產品設計有限公司
• 主分類號: B65G47/22
• 分類號: B65G47/22;B65G47/91;B65G47/88;B65G47/74;H01L31/18
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本發明涉及太陽能硅晶片生產技術領域，尤其涉及一種太陽能硅晶片抗光衰處理上料裝置及方法和太陽能硅晶片抗光衰設備。該裝置包括上料輸送帶、硅晶片限位機構和硅晶片搬移機構；上料輸送帶和硅晶片限位機構都固定在工作臺上，上料輸送帶輸出端與太陽能硅晶片下表面相接觸；硅晶片限位機構輸出端與太陽能硅晶片兩端面相接觸；硅晶片搬移機構輸出端與太陽能硅晶片上表面相接觸，并且硅晶片搬移機構輸出端分別與上料輸送帶和硅晶片輸送裝置輸入端相銜接；該裝置通過設置硅晶片限位機構提高整個設備的適用性，保證太陽能硅晶片的精確限位。

技術領域

本發明涉及太陽能硅晶片生產領域，尤其涉及一種太陽能硅晶片抗光衰處理上料裝置及方法和太陽能硅晶片抗光衰設備。

背景技術

目前，摻硼P型晶體硅太陽電池是占據光伏市場70％以上的產品，然而，該種太陽電池在使用的時候會出現效率下降的現象，該現象被稱之為光致衰減。光衰研究就是將硅晶片置于光源下進行照射，測試其照射前后的電學性能并得到相對應的光衰減幅度。研究硅晶片的光衰減情況一般是將硅晶片放置于模擬太陽光發生器的光衰箱里進行光照，然后測試硅晶片的電學性能。而在研究硅晶片的光衰減情況時需要對太陽能硅晶片自動進行上下料以及光照處理，因此，處理過程用到的太陽能硅晶片抗光衰設備就顯得尤為重要。

中國發明專利申請（公開號CN107046081A，公開日：20170815）公開了一種抗光衰爐，包括爐支架和多個恒流源，爐支架上設有循環輸送硅片的輸送裝置，爐支架沿所述輸送裝置入料端至出料端依次設有預熱區、光照區和冷卻區，光照區的正上方設有若干組并排設置的LED燈光照模組，每組LED燈光照模組由多個具有水冷作用的LED燈條組成，每個LED燈條均由一個恒流源獨立控制。一個恒流源獨立控制一個LED燈條，使LED燈條具有超高光照強度的同時，又可以控制其發熱的溫度，使LED燈條在一個恒定的溫度下工作。硅片進入本抗光衰爐的過程中，經過多組LED燈光照模組的強光照射，硅片氫鈍化效果明顯。

現有技術存在以下不足：1、對太陽能硅晶片上料時，采用兩個氣缸分別帶動限位頭運動到與太陽能硅晶片兩側面相接觸的位置對輸送帶上的太陽能硅晶片進行限位；而采用氣缸驅動時其運動的行程以及與氣缸相連的限位頭長度都是固定的，即一組氣缸及限位頭對應一種尺寸規格的太陽能硅晶片；當對不同規格的太陽能硅晶片進行上料限位時，需要更換限位氣缸或者限位頭的長度，降低了整個設備的適用性；同時，由于氣缸制造精度一般較低，導致氣缸驅動限位頭時限位頭的位置精度較低；容易造成限位頭偏離限位位置與太陽能硅晶片過度接觸損壞太陽能硅晶片或者與太陽能硅晶片接觸不足不能限位的情況，從而不利于太陽能硅晶片的精確限位。2、對多余的定位治具進行緩存時，先用搬移裝置將多余的定位治具搬移至緩存工位，需要使用時再用搬移裝置將緩存工位上的定位治具搬移至治具輸出工位；而此種緩存方式定位治具輸入輸出時都需要搬移裝置搬運，還需要搬移裝置完成下移抓取、平移輸送和治具下落三個步驟才能完成定位治具的緩存，從而增加了設備的復雜度以及定位治具的緩存步驟；同時，太陽能硅晶片為硬脆材料，在搬運抓取上移和下落過程中產生的沖擊力容易造成定位治具中堆疊的太陽能硅晶片相互擠壓碰撞；從而引起太陽能硅晶片發生破裂，降低緩存過程中太陽能硅晶片質量。

發明內容

針對上述問題，本發明的一個目的是：提出通過設置硅晶片限位機構提高整個設備的適用性，保證太陽能硅晶片的精確限位的一種太陽能硅晶片抗光衰處理上料裝置及方法。本發明的另一個目的是：提出通過設置硅晶片抗光衰處理上料裝置提高整個設備的適用性，保證太陽能硅晶片的精確限位；通過設置治具緩存機構減少定位治具的緩存步驟，提高緩存過程中太陽能硅晶片質量的一種太陽能硅晶片抗光衰設備。

為了實現上述的目的，本發明采用了以下的技術方案：