[發明專利]一種低選擇性的BPSG和PETEOS薄膜的蝕刻液有效
| 申請號： | 202011181031.3 | 申請日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112410036B | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 張庭;賀兆波;郝曉斌;李鑫;萬楊陽;王書萍 | 申請（專利權）人： | 湖北興福電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/08 | 分類號： | C09K13/08;C09K13/10;H01L21/311 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 選擇性 bpsg peteos 薄膜 蝕刻 | ||
【權利要求書】：
1.一種低選擇性的BPSG和PETEOS薄膜的蝕刻液，其特征在于，所述的蝕刻液成分包括占蝕刻液總重量0.01-3%的氫氟酸、10-50%的有機溶劑、1-20%的含氟化合物、0.01-2%的胺類，所述的有機溶劑選自甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、丙三醇、二乙二醇、三乙二醇、環己醇中的至少一種，所述蝕刻液成分中的含氟化合物選自氟化氫銨、氟化銨、氟硼酸、四甲基氟化銨、氟辛酸、氟硼酸銨、三氟乙酸乙酯、對氟苯乙烯中的至少一種，所述的胺類選自二異丁胺、2-乙基己胺、1,5-二甲基己胺、嗎啡啉中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的一種低選擇性的BPSG和PETEOS薄膜的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻液成分中的氫氟酸原始濃度為48-50%。
3.根據權利要求1所述的一種低選擇性的BPSG和PETEOS薄膜的蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻液蝕刻BPSG和PETEOS薄膜后的速率選擇比為1.1±0.2。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湖北興福電子材料有限公司，未經湖北興福電子材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011181031.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
