[發明專利]一種MEMS晶圓清洗方法在審
| 申請號： | 202011180723.6 | 申請日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112320753A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 李勝利;王春水;劉天福;羅學強 | 申請（專利權）人： | 武漢高芯科技有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人： | 吳靜 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 清洗 方法 | ||
1.一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，包括：
S100.將晶圓浸泡在去膠液中，除去晶圓上的光阻；
S200.將聚合物清洗液噴灑到旋轉的晶圓上，除去干法刻蝕過程中形成的聚合物；
S300.用側壁噴頭噴灑去電離水對晶圓沖洗，清洗掉殘留在晶圓上的聚合物清洗液；
S400.用擺臂噴頭噴灑高壓二流體去電離水和常壓去電離水，對晶圓進行沖洗并旋轉甩干。
2.如權利要求1的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，S100中，去膠液溫度為85℃。
3.如權利要求1的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，S100中，在晶圓浸泡過程中將晶圓上下抖動。
4.如權利要求1的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，S200中，聚合物清洗液分別以高壓二流體和常壓的形式噴灑到旋轉的晶圓上。
5.如權利要求4的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，當聚合物清洗液以高壓二流體的形式噴灑到旋轉的晶圓上時，二流體中的N2的流量是30L/min，聚合物清洗液的流量是300ml/min。
6.如權利要求4的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，當聚合物清洗液以常壓的形式噴灑到旋轉的晶圓上時，常壓聚合物清洗液的流量是800ml/min。
7.如權利要求1的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，S200中，晶圓的轉速是300r/min。
8.如權利要求1的一種MEMS晶圓清洗方法，其特征在于，S300中，側壁噴頭噴灑的去電離水須入射到晶圓中間位置，快速地將晶圓上的聚合物清洗液沖洗干凈。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢高芯科技有限公司，未經武漢高芯科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011180723.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
