[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011180371.4
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112289812B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡雨;李曉
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北長江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;G09F9/30
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板，位于襯底基板一側(cè)的緩沖層；

所述陣列基板包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管包括第一有源層，所述第一有源層位于所述緩沖層背離所述襯底基板的一側(cè)；所述第二晶體管包括第二有源層，所述第二有源層位于所述緩沖層背離所述第一有源層的一側(cè)；

所述襯底基板包括第一絕緣層，所述第一絕緣層復用為所述第二晶體管的絕緣層；

所述第一晶體管的源漏極位于所述第一有源層朝向所述第二有源層的一側(cè)，所述第二晶體管的源漏極位于所述第二有源層朝向所述第一有源層的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板包括層疊設(shè)置的第一無機層和第二無機層，所述第二有源層位于所述第一無機層和所述第二無機層之間，所述第一絕緣層包括所述第一無機層和/或所述第二無機層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板包括第一有機層和第二有機層，所述第二有機層位于所述緩沖層與所述第一有機層之間；

所述第一無機層和所述第二無機層位于所述第一有機層和所述第二有機層之間；

或者，所述第一無機層和所述第二無機層位于所述第二有機層和所述緩沖層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二晶體管的柵極位于所述第二有源層朝向所述緩沖層的一側(cè)，所述第二晶體管的柵極與所述第一晶體管的柵極同層設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二晶體管的源漏極與所述第一晶體管的源漏極同層設(shè)置。

6.據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層位于所述第二有源層背離所述緩沖層的一側(cè)，所述第一絕緣層為無機層，所述第二晶體管的柵極和/或所述第二晶體管的源漏極位于所述第一絕緣層背離所述第二有源層的一側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二晶體管的源漏極位于所述第二有源層背離所述緩沖層的一側(cè)，所述陣列基板還包括位于所述襯底基板內(nèi)的信號線，所述信號線與所述第一晶體管和/或所述第二晶體管電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括驅(qū)動芯片，所述驅(qū)動芯片與所述信號線電連接，所述驅(qū)動芯片位于所述襯底基板背離所述緩沖層的一側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第二晶體管的源漏極通過第一過孔與所述第二有源層電連接；

或者，所述陣列基板還包括連接層，所述連接層位于所述第二有源層與所述第二晶體管的源漏極之間，所述連接層通過第一子過孔與所述第二有源層電連接，所述連接層通過第二子過孔與所述第二晶體管的源漏極電連接；

其中，在垂直于所述陣列基板所在平面的方向上，所述第一過孔的深度大于所述第一子過孔和所述第二子過孔中任意一者的深度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層在所述緩沖層上的正投影與所述第二有源層在所述緩沖層上的正投影至少部分交疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層包括硅，所述第二有源層包括金屬氧化物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括像素電路，所述像素電路包括至少一個所述第一晶體管和至少一個所述第二晶體管。