[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011180312.7 | 申請日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112289902A | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曾彥鈞;林子旸;吳俊德;陳飛宏;史詒君 | 申請（專利權(quán)）人： | 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/32;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 張娜;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學(xué)園*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微型 發(fā)光二極管 | ||
1.一種微型發(fā)光二極管，包括：
第一型半導(dǎo)體層，所述第一型半導(dǎo)體層的摻雜類型是第一型摻雜類型；
發(fā)光層，設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層之上；
第一型電極，設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層之上；
第二型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述發(fā)光層之上，所述第二型半導(dǎo)體層的摻雜類型是第二型摻雜類型，所述第二型摻雜類型與所述第一型摻雜類型不同；
第二型電極，設(shè)置于所述第二型半導(dǎo)體層之上；以及
阻擋層，設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層下方且遠離所述第一型電極及
所述第二型電極，其中所述阻擋層包括摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)的摻雜類型是所述第二型摻雜類型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管，其中所述阻擋層的下表面具有粗化結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管，其中所述粗化結(jié)構(gòu)包括至少一凹陷結(jié)構(gòu)，所述凹陷結(jié)構(gòu)自所述下表面朝上方凹陷至所述阻擋層的內(nèi)部，所述阻擋層的厚度是第一厚度，所述凹陷結(jié)構(gòu)的深度是第一深度，所述第一深度小于或等于所述第一厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管，還包第三型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述阻擋層下方，所述第三型半導(dǎo)體層的摻雜類型是所述第一型摻雜類型或所述第二型摻雜類型。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管，其中所述第三型半導(dǎo)體層的摻雜類型與所述第一型半導(dǎo)體層的摻雜類型相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管，其中所述第三型半導(dǎo)體層的摻雜濃度大于所述第一型半導(dǎo)體層的摻雜濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管，其中所述第三型半導(dǎo)體層的下表面具有粗化結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管，其中所述第三型半導(dǎo)體層的厚度是第一厚度，所述第一型半導(dǎo)體層、所述阻擋層及所述第三型半導(dǎo)體層的總厚度是第二厚度，所述第一厚度與所述第二厚度的比值大于90％。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管，其中所述第一型半導(dǎo)體層的厚度大于50nm且小于等于4μm，所述第三型半導(dǎo)體層的厚度小于4μm，所述阻擋層的厚度小于1μm，所述摻雜區(qū)的摻雜濃度介于1×1016cm-3至1×1019cm-3之間的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層與所述第一型半導(dǎo)體層之間還包括第四型半導(dǎo)體層，所述第四型半導(dǎo)體層的摻雜類型是所述第一型摻雜類型，其中所述第一型半導(dǎo)體層、所述阻擋層及所述第三型半導(dǎo)體層的總厚度是第一厚度，所述第四型半導(dǎo)體層、所述第一型半導(dǎo)體層、所述阻擋層及所述第三型半導(dǎo)體層的總厚度是第二厚度，所述第一厚度與所述第二厚度的比值大于10％。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管，其中所述阻擋層包括至少一個PN接面層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的微型發(fā)光二極管，其中所述阻擋層包括多個PN接面層結(jié)構(gòu)，所述多個PN接面結(jié)構(gòu)以周期性排列。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管，其中所述阻擋層還包括至少一絕緣區(qū)和至少一阻擋區(qū)，所述至少一絕緣區(qū)配置于所述至少一阻擋區(qū)的外側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微型發(fā)光二極管，其中所述阻擋區(qū)至所述型發(fā)光二極管的邊緣的距離大于等于1um。
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