[發(fā)明專利]一種Micro-LED自散熱裝置及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011180056.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112420909A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉純;盧迪;楊鈺婷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L35/16 | 分類號(hào)： | H01L35/16;H01L35/34;H05K7/20;G09F9/33 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210033 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 micro led 散熱 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，包括至少一個(gè)熱電冷微器件、覆蓋所述熱電冷微器件的絕緣層和位于所述絕緣層上的Micro-LED電極層，每個(gè)所述熱電冷微器件包括p型熱電材料單元、n型熱電材料單元和電性連接所述p型熱電材料單元和n型熱電材料單元的冷端，所述n型熱電材料單元位于p型熱電材料單元的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，所述p型熱電材料單元包括熱端負(fù)極和位于所述熱端負(fù)極上的p型熱電材料，所述n型熱電材料單元包括熱端正極和位于所述熱端正極上的n型熱電材料，所述冷端包括位于p型熱電材料上的第一冷端、位于n型熱電材料上的第二冷端以及連接第一冷端和第二冷端的冷端連接部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，p型熱電材料單元還包括位于p型熱電材料上的第一p型冷端和位于第一p型冷端上的第二p型冷端，第一冷端位于第二p型冷端上；n型熱電材料單元還包括位于n型熱電材料上的第一n型冷端和位于第一n型冷端上的第二n型冷端，第二冷端位于第二n型冷端上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，所述第一冷端和第二冷端靠近所述Micro-LED電極層，所述熱端負(fù)極和熱端正極靠近所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，所述絕緣層包括依次設(shè)置在基板上的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，所述p型熱電材料單元至少部分位于所述第一絕緣層中，所述n型熱電材料單元至少部分位于所述第二絕緣層中，所述Micro-LED電極層位于所述第三絕緣層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，所述Micro-LED電極層包括位于所述p型熱電材料單元上方的Micro-LED正極和位于所述n型熱電材料單元上方的Micro-LED負(fù)極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Micro-LED自散熱裝置，其特征在于，熱電冷微器件包括多個(gè)，各個(gè)所述熱電冷微器件之間通過并聯(lián)的方式連接到電源。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的Micro-LED自散熱裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、在基板上沉積第一絕緣材料層，對(duì)第一絕緣材料層進(jìn)行刻蝕并形成陣列設(shè)置的第一絕緣層和位于相鄰第一絕緣層之間的第一凹槽；
S2、在第一凹槽內(nèi)形成p型熱電材料單元，同時(shí)在第一絕緣層上形成n型熱電材料單元；
S3、沉積第二絕緣層材料層，并刻蝕形成位于每個(gè)第一絕緣層上的兩個(gè)第二絕緣層，該兩個(gè)第二絕緣層位于所述n型熱電材料單元的兩側(cè)；
S4、沉積金屬層，對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕，形成位于p型熱電材料單元上的第一冷端、位于n型熱電材料單元上的第二冷端以及連接第一冷端和第二冷端的冷端連接部；
S5、沉積第三絕緣材料層，刻蝕第三絕緣材料層形成覆蓋所述熱電冷微器件的第三絕緣層和位于p型熱電材料單元上方的第二凹槽，其中，所述p型熱電材料單元位于第二凹槽的下方，所述n型熱電材料單元位于第一絕緣層的上方；
S6、沉積電極材料層作為Micro-LED電極層，其中，在所述第二凹槽內(nèi)形成Micro-LED正極，在所述第三絕緣層上形成Micro-LED負(fù)極。
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