[發(fā)明專利]SiGe(:B):Ga層的形成

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011179473.4
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112928014A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·西卡韋;C·波瑞特
• 申請（專利權(quán)）人: IMEC非營利協(xié)會
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/161;H01L29/167;C23C16/18;C23C16/22;C23C16/52
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 王穎;江磊

1.一種形成Ga摻雜的SiGe層(40)的方法，所述方法包括：

a.在含C的Ga前體存在下，在基材(10)上沉積Ga摻雜的SiGe，從而形成Ga摻雜的SiGe層(40)的第一部分；和

b.在不存在含C的Ga前體的情況下，在第一部分(20)上沉積SiGe，從而形成Ga摻雜的SiGe層(40)的第二部分(30)；

其中，Ga摻雜的SiGe層(40)的各部分，即在步驟a中沉積的Ga摻雜的SiGe和在步驟b中沉積的SiGe均任選地是B摻雜的。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟a和/或步驟b中的沉積包括外延工藝。

3.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，步驟a是使用Si前體，Ge前體，B前體和含C的Ga前體進行的；并且步驟b包括在沒有含C的Ga前體的情況下繼續(xù)進行步驟a的沉積。

4.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，步驟a和/或步驟b中的沉積在450℃或更低的溫度下進行。

5.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，Si前體是高階硅烷，并且/或者Ge前體是高階鍺烷。

6.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其在步驟a和/或步驟b之后還包括步驟c：

c.回蝕Ga摻雜的SiGe層(40)。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，使用基于Cl的蝕刻劑進行步驟c。

8.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其中，所述方法用于相對于氧化物或氮化物表面，在半導(dǎo)體表面上區(qū)域選擇性地形成SiGe(:B):Ga層(40)。

9.如前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，包括步驟a，b和任選的c的工序重復(fù)至少兩次。

10.一種Ga摻雜的SiGe層(40)，其包括：

i.包含第一濃度的C的第一部分(20)，

ii.在第一部分(20)上的第二部分(30)，所述第二部分(30)包含第二濃度的C；

其中，第二濃度至少小于第一濃度的二分之一，優(yōu)選至少小于第一濃度的五分之一，更優(yōu)選至少小于第一濃度的十分之一，和

其中，Ga摻雜的SiGe層(40)任選地是B摻雜的。

11.如權(quán)利要求10所述的Ga摻雜的SiGe層(40)，其中，第一部分(20)的厚度為第二部分(30)的厚度的0.05至20倍，優(yōu)選為0.1至10倍，更優(yōu)選為0.2至5倍，更優(yōu)選為0.3至3倍，最優(yōu)選為0.5至2倍。

12.如權(quán)利要求10或11所述的Ga摻雜的SiGe層(40)，其中，第一部分(20)的厚度和/或第二部分(30)的厚度為1至50nm，優(yōu)選為2至25nm，更優(yōu)選為3至15nm，更優(yōu)選為5至10nm。

13.一種形成用于半導(dǎo)體器件的Ga摻雜的SiGe結(jié)構(gòu)的方法，其包括如權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法。

14.一種用于半導(dǎo)體器件的Ga摻雜的SiGe結(jié)構(gòu)，其包括如權(quán)利要求10至13中任一項所述的Ga摻雜的SiGe層(40)。

15.如權(quán)利要求14所述的Ga摻雜的SiGe結(jié)構(gòu)，其為源極區(qū)和/或漏極區(qū)。