[發明專利]一種GaN HEMT功率器開關時間測試中柵極震蕩優化方法

在審

• 申請號: 202011178834.3
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112285520A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 羅景濤;嚴可為
• 申請（專利權）人: 西安眾力為半導體科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/327
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 王營超

1.一種GaN HEMT功率器開關時間測試中柵極震蕩優化方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：GaN HEMT器件的柵極驅動端與漏源負載端有兩個相互并聯的共源電感Ls，柵極驅動端與其中一個共源電感Ls以及電壓Vdrive構成柵極驅動回路，柵極驅動回路內電流為柵源電流Igs；

S2：漏源負載端與另一個共源電感LS、穩壓二極管以及電阻柵極驅動回路，漏源負載端回路內電流為漏源電流Ids；

S3：GaN HEMT器件源極管腳處將柵源電流Igs和漏源電流Ids的共源對地回路進行分割，漏源電流Ids的對柵極驅動電壓Vgs的干擾回路被隔離，柵源電流Igs對柵極驅動電壓Vgs的影響，此時柵極驅動電壓柵極驅動電壓Vgs震蕩被抑制。

2.如權利要求1所述的一種GaN HEMT功率器開關時間測試中柵極震蕩優化方法，其特征在于，針對S2中，GaN HEMT器件的源極還接有共源電感Ls，共源電感Ls與穩壓二極管并聯。

3.如權利要求1所述的一種GaN HEMT功率器開關時間測試中柵極震蕩優化方法，其特征在于，針對S3中，GaN HEMT器件，漏源電流Ids較大，約為幾十安培，柵源電流Igs較小為毫安級別，漏源電流Ids對柵極驅動電壓Vgs的干擾量為數值較大，柵源電流Igs對柵極驅動電壓Vgs的干擾量為數值非常小，漏源電流Ids對柵極驅動電壓Vgs干擾。