[發明專利]用于存儲器的編程方法和裝置

有效

• 申請號: 202011178508.2
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112270947B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 李海波;張超
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/10
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 張殿慧;劉健

本發明涉及非易失性存儲設備，包括存儲單元陣列和控制單元，所述存儲單元陣列中的每個存儲單元具有多個可編程級別；所述控制單元，其耦接至所述存儲單元陣列，并且被配置為：動態地選擇用于在驗證周期中進行驗證的多個存儲單元，所述多個存儲單元包括分別與至少兩個不同的目標編程級別對應的至少兩組存儲單元，為所述多個存儲單元提供與所述至少兩個不同的目標編程級別對應的相同的驗證電壓，以及在所述驗證周期中按照不同的目標編程級別依次對所述多個存儲單元中的每一組存儲單元進行驗證。

技術領域

本發明涉及存儲器，并且具體涉及一種用于非易失性存儲器的編程方法和裝置。

背景技術

最近，半導體存儲器領域受到越來越多的關注。半導體存儲器可以是易失性和非易失性的。非易失性半導體存儲器(例如NAND閃存)即使在未通電的情況下也能夠保持數據，因此已經廣泛用于蜂窩電話、數碼相機、個人數字助理、移動計算設備、非移動計算設備和其它設備中。

目前，對于NAND閃存，普通采用步進脈沖編程(ISPP)的方法進行編程，即，依次使用多個逐步增加的脈沖編程電壓對存儲單元進行編程，每個編程過程可以包括編程操作和后續的驗證操作。在編程過程期間，在每次對存儲單元執行編程操作后使用驗證電壓來對這些存儲單元進行驗證，在下一次編程過程期間限制已通過驗證的存儲單元，對于未通過驗證的存儲單元繼續使用增加后的脈沖編程電壓進行編程并驗證，直至通過驗證的存儲單元的數量達到設定值。

然而，在當前的驗證操作中，屬于不同編程級別或狀態的存儲單元需要利用不同的驗證電壓來順序地進行驗證，這增加了編程時間。

因此，需要提供一種用于在非易失性存儲器的編程期間以高效方式進行驗證的方法和裝置，以降低編程時間。

發明內容

提供本發明內容以便介紹一組概念，這組概念將在以下的具體實施方式中做進一步描述。本發明內容并非旨在標識所保護主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所保護主題的范圍。

本發明的目的在于提供一種用于存儲器的編程方法和裝置，用于降低編程所需的時間，尤其是降低編程循環期間的驗證操作所花費的時間。

根據本說明書實施例的一個方面，提供一種非易失性存儲設備，包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列中的每個存儲單元具有多個可編程級別；以及控制單元，其耦接至所述存儲單元陣列，并且被配置為：動態地選擇用于在驗證周期中進行驗證的多個存儲單元，所述多個存儲單元包括分別與至少兩個不同的目標編程級別對應的至少兩組存儲單元，為所述多個存儲單元提供與所述至少兩個不同的目標編程級別對應的相同的驗證電壓，以及在所述驗證周期中按照不同的目標編程級別依次對所述多個存儲單元中的每一組存儲單元進行驗證。

可選地，在上述非易失性存儲設備的一個示例中，所述至少兩個不同的目標編程級別包括待驗證的目標編程級別中最低的至少兩個目標編程級別。

可選地，在上述非易失性存儲設備的一個示例中，所述至少兩個不同的目標編程級別包括在所述驗證周期中首次進行驗證的目標編程級別和在所述驗證周期之前的驗證周期中未驗證通過的目標編程級別。

可選地，在上述非易失性存儲設備的一個示例中，所述至少兩個不同的目標編程級別包括在所述驗證周期之前的不同驗證周期中未驗證通過的目標編程級別。

可選地，在上述非易失性存儲設備的一個示例中，所述至少兩個不同的目標編程級別包括相鄰的目標編程級別或不相鄰的目標編程級別。