[發(fā)明專利]一種方片邊緣堆膠的去除方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011177623.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112162471A | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邊疆;王惠生;樸勇男;張德強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/42 | 分類號(hào): | G03F7/42;G03F7/40 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 于曉波 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 邊緣 去除 方法 | ||
1.一種方片邊緣堆膠的去除方法,其特征在于:該方法是針對(duì)方片上涂覆的光刻膠進(jìn)行邊緣堆膠去除,具體包括如下步驟:
(1)方片傳送至涂膠單元涂覆光刻膠;
(2)在光刻膠涂覆時(shí),采用化學(xué)方式對(duì)方片邊緣區(qū)域膠膜進(jìn)行部分去除,即減薄晶圓邊緣區(qū)域膠膜厚度,并控制減薄區(qū)域的大小;
(3)將方片邊緣減薄后,將方片的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速調(diào)整至1200r-1400r,旋轉(zhuǎn)5s,使方片減薄的邊緣部分重新掛膠,且使減薄區(qū)域的膠膜與中心光刻膠厚度一致;
(4)涂覆光刻膠后的方片傳送至熱板進(jìn)行后烘處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方片邊緣堆膠的去除方法,其特征在于:步驟(1)中,涂覆的光刻膠粘度為10-30cp,玻璃基底方片上所形成膠膜的厚度為1μm-5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方片邊緣堆膠的去除方法,其特征在于:步驟(2)中,采用化學(xué)方式對(duì)方片進(jìn)行邊緣堆膠的去除時(shí):目標(biāo)去除寬度為W1,設(shè)POS1為方片對(duì)角線上一點(diǎn),則W1為POS1到方片外角的距離,設(shè)置POS2為在方片對(duì)角線上且在方片邊緣外側(cè)的點(diǎn)(在方片對(duì)角線外),噴灑化學(xué)品(去除液)的針頭在POS1和POS2之間進(jìn)行往復(fù)掃描,通過控制化學(xué)品流量、針頭角度、掃描速度和掃描時(shí)間,使方片邊緣的光刻膠減薄至其初始厚度的50%~60%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方片邊緣堆膠的去除方法,其特征在于:步驟(2)中,POS1與POS2之間的距離為2-4mm;采用化學(xué)方式(EBR)噴酒化學(xué)品時(shí),化學(xué)品流量、針頭角度、掃面速度以及掃描時(shí)間,需要根據(jù)方片上的膠膜厚度、特性等確定。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方片邊緣堆膠的去除方法,其特征在于:方片邊緣的光刻膠減薄的厚度為0.5-2μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基底方片邊緣堆膠的去除方法,其特征在于:步驟(4)中,所述后烘處理的烘烤溫度110-130℃,烘烤時(shí)間90-180s。
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