[發明專利]一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法

在審

• 申請號: 202011176972.8
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112287543A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 李興麗
• 申請（專利權）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F119/14;G06F119/08;G06F119/18
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 馬貴香

1.一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，根據已有的生產數據，確定生產過程的DOE矩陣，所述DOE矩陣的參數包括磨片膠膜、研磨輪、研磨參數和劃片參數；

步驟2，根據DOE矩陣的參數，對氮化鎵的測試片進行貼膜，貼膜后驗證，確定出貼膜參數；

步驟3，根據DOE矩陣的參數，對氮化鎵的測試片進行研磨驗證，確定出研磨參數；

步驟4，根據DOE矩陣的參數，對氮化鎵的測試片進行劃片驗證，確定出劃片參數；

步驟5，基于上述的貼膜參數、研磨參數和劃片參數生產氮化鎵晶圓，當良品率達到100％時，確定上述的貼膜參數、研磨參數和劃片參數為生產工藝參數。

2.根據權利要求1所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟2中，所述貼膜參數包括貼膜速度、貼膜壓力、貼膜張力、工作臺溫度和刀片溫度。

3.根據權利要求2所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟2中，所述貼膜速度為5～20mm/sec，貼膜壓力為0.56MPa，貼膜張力的主壓力為0.56MPa、工作臺溫度為20℃-60℃，刀片溫度為170℃。

4.根據權利要求1所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟3中，研磨參數包括粗磨研磨速度、細磨研磨速度、主軸在粗磨和細磨時的轉速、研磨細磨量和研磨輪型號。

5.根據權利要求4所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟3中，粗磨分為三個階段，第一階段的速度為3-8um/s，第二階段的速度為2-6um/s，第三階段的速度為1-4um/s；細磨分為兩個階段，第一階段的速度為0.2-0.8um/s，第二階段的速度為0.1-0.6um/s。

6.根據權利要求4所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟3中，主軸在粗磨時的轉速為500-5000rpm，主軸在細磨時的轉速為1000-5700rpm。

7.根據權利要求1所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟4中，劃片參數包括進刀速度、主軸轉速、刀片切入量和水流量。

8.根據權利要求7所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟4中，進刀速度為7-60mm/s；第一切刀的主軸轉速為20000-55000rpm，第二切刀的主軸轉速為20000-55000rpm。

9.根據權利要求7所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟4中，第一切刀的切入厚度為晶圓厚度的1/3-2/3，第二切刀將晶圓切透后，切入膠膜15-40um。

10.根據權利要求7所述的一種氮化鎵晶圓生產工藝參數設計方法，其特征在于，步驟4中，水流量為0.6±0.3MΩ.cm²。