[發明專利]柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法在審
| 申請號： | 202011176695.0 | 申請日： | 2020-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN112420847A | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 宋家琪;鄭克麗 | 申請（專利權）人： | 深圳技術大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 黃廣龍 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 ingazno 薄膜晶體管 制備 方法 | ||
1.柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法，其特征在于，包括：
提供柔性PI襯底；
在所述柔性PI襯底上依次形成緩沖層、ITO柵極、高K介質層；
對所述高K介質層進行準分子激光退火；
在所述高K介質層上形成InGaZnO有源層；
通過光刻和顯影工藝，在所述InGaZnO有源層上形成源極和漏極的光刻膠圖形；
對所述InGaZnO有源層進行準分子激光退火；
在所述InGaZnO有源層上形成金屬薄膜，通過光刻膠的剝離工藝形成源極和漏極。
2.根據權利要求1所述的柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述緩沖層為使用原子層沉積工藝制備的氧化鋁薄膜，所述氧化鋁薄膜的厚度為100nm。
3.根據權利要求2所述的柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述ITO柵極為使用磁控濺射工藝制備的ITO薄膜，所述ITO薄膜的厚度為100nm。
4.根據權利要求3所述的柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述高K介質層為使用磁控濺射工藝制備高K介質薄膜，所述高K介質薄膜的厚度為40nm至60nm。
5.根據權利要求4所述的柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述InGaZnO有源層為使用磁控濺射工藝制備的InGaZnO薄膜，所述InGaZnO薄膜的厚度為50nm，所述InGaZnO薄膜的生長速率為1nm/min。
6.根據權利要求5所述的柔性InGaZnO薄膜晶體管制備方法，其特征在于，所述金屬薄膜為使用熱蒸發工藝形成的雙金屬層結構。
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