[發明專利]電子裝置的制作方法在審
| 申請號: | 202011176590.5 | 申請日: | 2020-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN113571422A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 陳永一 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 制作方法 | ||
1.一種電子裝置的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板,其中所述基板包括主體區和周邊區;
形成晶種層于所述基板上;
形成電路結構層于所述晶種層上,其中所述電路結構層具有設置于所述主體區上的多個芯片連接結構以及設置于所述周邊區上的多個測試電路結構,所述多個芯片連接結構與所述多個測試電路結構彼此物理分離,且所述多個芯片連接結構與所述多個測試電路結構通過所述晶種層電性連接;
執行電路測試步驟,其中所述電路測試步驟包括施加預定電壓至所述多個測試電路結構,以測試所述多個芯片連接結構;以及
獲取測試結果,以確認芯片是否電性連接至所述多個芯片連接結構。
2.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述晶種層設置于所述基板的所述主體區上以及所述基板的所述周邊區上。
3.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述電路結構層為重布層。
4.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述晶種層為包括由不同材料形成的多個子層的復合層。
5.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述多個測試電路結構中的至少一個包括上導電墊和導電結構,且所述上導電墊不直接連接至所述導電結構。
6.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述多個測試電路結構中的至少一個包括上導電墊和導電結構,且所述上導電墊直接連接至所述導電結構。
7.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述基板還包括切割線,所述多個測試電路結構中的至少一個包括上導電墊和下導電墊,且在所述基板的法線方向上,所述上導電墊和所述切割線之間具有間隙,且所述下導電墊和所述切割線之間具有間隙。
8.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,所述電路測試步驟還包括通過所述晶種層將所述預定電壓傳遞至所述多個芯片連接結構。
9.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,通過電容耦合方式將預定電壓施加至所述多個測試電路結構。
10.根據權利要求1所述的電子裝置的制作方法,其特征在于,還包括:
在執行所述電路測試步驟之后,移除所述基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





