[發明專利]微型發光元件及微型發光元件顯示裝置

在審

• 申請號: 202011176558.7
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112289901A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 羅玉云;曾彥鈞;史詒君;吳柏威
• 申請（專利權）人: 錼創顯示科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/24;H01L27/15
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種微型發光元件，其特征在于，包括：

磊晶結構，包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層，所述發光層位于所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間，其中所述第一型半導體層包括彼此相連接的第一部分與第二部分，而所述第一部分的邊緣與所述第二部分的邊緣之間具有間距，且所述第一部分的底面積小于所述第二部分的頂面積；

第一電極，配置于所述磊晶結構上，且位于所述第一型半導體層的所述第一部分上；以及

第二電極，配置于所述磊晶結構上。

2.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層的所述第一部分的電阻值大于所述第二部分的電阻值。

3.根據權利要求2所述的微型發光元件，其特征在于，所述第二部分與所述第一部分重疊的區域的電阻值小于所述第二部分與所述第一部分未重疊的區域的電阻值。

4.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層的所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，且所述第二厚度與所述第一厚度的比值介于0.1至0.5。

5.根據權利要求4所述的微型發光元件，其特征在于，所述第二部分的所述第二厚度介于0.1微米至0.5微米。

6.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一部分的所述底面積與所述第一型半導體層的底面積的比值介于0.8至0.98。

7.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述間距介于0.5微米至5微米。

8.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述磊晶結構的側表面的表面積與所述磊晶結構的表面積的比值大于等于0.01。

9.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層的所述第一部分的剖面形狀為梯形，而堆疊的所述第一型半導體層的所述第二部分、所述發光層以及所述第二型半導體層的剖面形狀為梯形。

10.根據權利要求9所述的微型發光元件，其特征在于，所述發光層的側面與所述第一型半導體層的所述第二部分的側面共平面。

11.根據權利要求9所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層于所述第一部分與所述第二部分之間具有連接面，且所述連接面與所述第一部分的側表面之間的夾角介于30度至80度。

12.根據權利要求9所述的微型發光元件，其特征在于，所述第二型半導體層具有相對于遠離所述發光層的底面，且所述底面與所述第二型半導體層的側表面之間的夾角介于30度至80度。

13.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一型半導體層的所述第一部分的厚度與所述磊晶結構的厚度的比值介于0.05至0.4，而所述第一部分的側表面積與所述磊晶結構的側表面積的比值介于0.2至0.8。

14.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一電極于所述第一型半導體層上的正投影位于所述第一部分內。

15.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第一電極與所述第二電極分別位于所述磊晶結構的相對兩側。

16.根據權利要求1所述的微型發光元件，其特征在于，所述第二型半導體層包括彼此相連接的第三部分與第四部分，所述第一型半導體層的所述第一部分的剖面形狀為梯形，而堆疊的所述第一型半導體層的所述第二部分、所述發光層以及所述第二型半導體層的所述第三部分的剖面形狀為梯形，所述第二型半導體層的所述第四部分的剖面形狀為梯形。