[發明專利]一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法

在審

• 申請號: 202011176243.2
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN112018598A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 方照詒
• 申請（專利權）人: 深圳市德明利技術股份有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 深圳市道勤知酷知識產權代理事務所(普通合伙) 44439
• 代理人: 何兵;饒盛添

1.一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，所述方法包括：

對經過臺面刻蝕后的圓形臺面結構的（100）晶面快速氧化方向上的側壁進行鍍膜、沉積或保留原來外延材料形成擴散障礙層，補償修正側壁各方向氧化速率的差異；

對已具有擴散障礙層的臺面結構側壁進行擴散及氧化，形成氧化孔。

2.根據權利要求1所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，水氣在擴散障礙層內的擴散系數Kd小于或等于水氣在半導體內的擴散系數Ks。

3.根據權利要求2所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，所述圓形臺面結構的已氧化區域的半徑為R，氧化孔的目標區域的期待半徑為r，其中，R與r之間的關系滿足：1R/r≤5。

4.根據權利要求2所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，臺面刻蝕后直接側向氧化形成的氧化孔的中心距離邊的距離為Rs，臺面刻蝕后直接側向氧化形成的氧化孔的中心距離角的距離為Rc，其中，Rs、Rc、R和r滿足：（R-Rs）/（R-Rc）=1+Ks(Rc-Rs)/Kd(R-r)。

5.根據權利要求4所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，環繞圓形臺面結構的區域的圓心陣列設置、以圓形臺面結構的外圓與較慢擴散速率晶面方向的交點為圓心設置四個小圓，小圓與圓形臺面結構的外圓形成公切線，小圓與公切線連接的外輪廓與圓形臺面結構的外圓之間區域即為擴散障礙層。

6.根據權利要求5所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，其中，小圓的半徑為d，d滿足：d=（Rc-Rs）*Ks/Kd。

7.根據權利要求1所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，補償修正角度為以修正前的孔徑沿襯底晶面方向為軸心旋轉45度。

8.根據權利要求1所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，所述圓形臺面結構利用光刻工藝定義刻蝕區域通過刻蝕形成。

9.根據權利要求1所述的一種修正（100）晶面氧化孔徑的方法，其特征在于，所述擴散障礙層的材料包括GaAs、AlGaAs、Ga₂O₃、Al₂O₃、AlN、BN、Al₂O₃、Si₃N₄、SiO₂、ZrO₂中的至少一種。