[發明專利]一種測試電路的穩壓芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 202011176085.0
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112349703B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 段戀
• 申請（專利權）人: 廣州寶創集成電路設計有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G01R31/28
• 代理公司: 佛山市君創知識產權代理事務所(普通合伙) 44675
• 代理人: 羅偉富

1.一種測試電路的穩壓芯片，包括襯底(1)，其特征在于：所述襯底(1)的底端連接有外延邊(2)，所述外延邊(2)的一端均勻嵌入安裝有負電極(3)，所述外延邊(2)的另一端對應負電極(3)位置處均勻嵌入安裝有正電極(4)，所述襯底(1)的外側連接有抗干擾層(7)，所述抗干擾層(7)的外側連接有保護層(6)，所述保護層(6)的頂端對稱開設有凹槽(5)，所述抗干擾層(7)的內部均勻嵌入安裝有抗干擾顆粒(8)，所述襯底(1)的內部底端位置處嵌入安裝有光刻硅面(9)；

所述負電極(3)和正電極(4)的一端穿過襯底(1)與光刻硅面(9)通過錫焊連接，所述保護層(6)與抗干擾層(7)之間通過熱熔連接；

包括電流傳輸模塊、電路測試模塊和控制模塊，所述傳輸模塊包括電流輸入端和電流輸出端，所述電路測試模塊包括繼電器、測試電阻和穩壓芯片，所述控制模塊包括控制器和微處理器；

所述電路測試模塊的輸入端和輸出端均與電流傳輸模塊的輸出端連接，所述控制模塊的輸出端與電路測試模塊的輸入端連接；

所述傳輸模塊包括電流輸入端和電流輸出端，所述電流輸入端是指所需測試電路與測試儀的傳入端口，所述電流輸出端是指測試后電流與測試電路連接的傳出端口；

所述電路測試模塊包括繼電器、測試電阻和穩壓芯片，所述繼電器是指受到所需測試電路電流的輸入刺激，使得測試電路變化的電控制元件，所述測試電阻是指使用多個測試電阻，分別使得電路電流經過測試電阻，對所需測試電路進行多電阻測試，所述穩壓芯片是指接收輸入穩壓芯片的電流，使穩壓芯片輸出的電流穩定在設定的電壓范圍內，并輸出電路的電壓數據；

所述控制模塊包括控制器和微處理器，所述控制器是指接收穩壓芯片輸出的數據，并傳輸指令控制繼電器和微處理器運行，所述微處理器是指接收控制器傳輸的指令和穩壓芯片輸出的數據，對所需測試電路的電流信息進行處理。

2.根據權利要求1所述的一種測試電路的穩壓芯片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、制作晶圓：使用晶圓切片機將硅晶棒切割出晶圓；

S2、晶圓涂膜：在晶圓表面涂覆光阻薄膜；

S3、光刻刻蝕：使用光刻機和蝕刻機，對晶圓中硅表面進行光刻和刻蝕，并注入離子；

S4、包覆外層：對光刻后的芯片表面熱熔包覆抗干擾層；

S5、芯片封裝；將晶圓固定，嵌入引腳，對芯片進行封裝。

3.根據權利要求2所述的一種測試電路的穩壓芯片的制備方法，其特征在于，所述S2中，在晶圓表面涂覆光阻薄膜，光阻薄膜涂覆的次數為2-3次，光阻薄膜涂覆的厚度為0.1-0.2mm。

4.根據權利要求2所述的一種測試電路的穩壓芯片的制備方法，其特征在于，所述S3中，使用光刻機和蝕刻機，對晶圓中硅表面進行光刻和刻蝕，并注入離子，使得晶圓中硅上刻蝕出N阱和P阱，形成PN結，隨后沉淀做出上層金屬連接電路。

5.根據權利要求2所述的一種測試電路的穩壓芯片的制備方法，其特征在于，所述S5中，將晶圓固定，嵌入引腳，對芯片進行封裝，芯片的封裝方式為DIP、QFP、PLCC或QFN其中的一種。