[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011175741.5
• 申請日: 2020-10-28
• 公開（公告）號: CN113013151A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 宋垠錫;吳瓊碩;俞世浩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/56;H01L21/50
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

封裝基板；

邏輯芯片，所述邏輯芯片堆疊在所述封裝基板上并包括至少一個邏輯元件；以及

堆疊結構，

其中，所述堆疊結構包括：

集成電壓調節器芯片，所述集成電壓調節器芯片包括調節所述至少一個邏輯元件的電壓的電壓調節電路；以及

無源元件芯片，所述無源元件芯片堆疊在所述集成電壓調節器芯片上并包括電感器。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述堆疊結構堆疊在所述邏輯芯片上。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其中，所述邏輯芯片包括使用至少兩個不同的電壓的多個邏輯元件，

其中，至少兩個堆疊結構堆疊在所述邏輯芯片上，

其中，所述多個邏輯元件包括所述至少一個邏輯元件，并且所述堆疊結構是所述至少兩個堆疊結構之一。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述堆疊結構堆疊在所述封裝基板上，并且所述堆疊結構、所述邏輯芯片和所述封裝基板在所述半導體封裝件的截面圖中彼此交疊。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，在所述堆疊結構中，所述無源元件芯片以前到前接合形式堆疊在所述集成電壓調節器芯片上，在所述前到前接合形式中，所述無源元件芯片的有源表面和所述集成電壓調節器芯片的有源表面彼此面對。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，所述前到前接合是使用銅焊盤彼此接合的焊盤到焊盤接合來實現的，或者是使用各向異性導電膜來實現的。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述集成電壓調節器芯片和所述邏輯芯片中的至少一者包括貫通電極，

其中，所述堆疊結構以前到后接合形式或以后到后接合形式堆疊在所述邏輯芯片上，在所述前到后接合形式中，所述集成電壓調節器芯片的無源表面面對所述邏輯芯片的有源表面，在所述后到后接合形式中，所述集成電壓調節器芯片的所述無源表面面對所述邏輯芯片的無源表面。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，所述前到后接合和所述后到后接合均是利用焊盤到焊盤接合、使用各向異性導電膜的接合和使用連接構件的接合中的任意一種來實現的。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，當所述堆疊結構堆疊在所述邏輯芯片上時，所述邏輯芯片包括貫通電極，

當所述堆疊結構不堆疊在所述邏輯芯片上時，所述邏輯芯片不包括所述貫通電極，并且

所述邏輯芯片使用連接構件堆疊在所述封裝基板上。

10.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

封裝基板；

邏輯芯片，所述邏輯芯片安裝在所述封裝基板上并包括至少一個邏輯元件；

第一集成電壓調節器芯片，所述第一集成電壓調節器芯片堆疊在所述邏輯芯片上并包括調節所述至少一個邏輯元件的電壓的電壓調節電路；以及

第一無源元件芯片，所述第一無源元件芯片堆疊在所述第一集成電壓調節器芯片上并包括電感器，

其中，所述第一無源元件芯片以前到前接合形式堆疊在所述第一集成電壓調節器芯片上，在所述前到前接合形式中，所述第一無源元件芯片的有源表面和所述第一集成電壓調節器芯片的有源表面彼此面對，

其中，所述第一無源元件芯片或所述第一集成電壓調節器芯片的焊盤之間的節距為10μm或更小。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝件，其中，所述第一集成電壓調節器芯片和所述邏輯芯片中的至少一者包括貫通電極，

其中，所述第一集成電壓調節器芯片以前到后接合形式或以后到后接合形式堆疊在所述邏輯芯片上，在所述前到后接合形式中，所述第一集成電壓調節器芯片的無源表面面對所述邏輯芯片的有源表面，在所述后到后接合形式中，所述第一集成電壓調節器芯片的所述無源表面面對所述邏輯芯片的無源表面。